[實用新型]一種OLED發光器件及顯示裝置

有效

• 申請號: 201420596464.9
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN204216094U
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 李彥松
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED發光器件及顯示裝置。

背景技術

有機發光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode，簡稱OLED)是一種有機薄膜電致發光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結構、視角寬等優點；因此，利用有機發光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。

如圖1所示，OLED發光器件包括：陽極1、陰極2、以及位于所述陽極1和所述陰極2之間的發光層3。其發光原理為：從陽極1注入的空穴(h)和從陰極2注入的電子(e)在發光層3的復合區域相結合形成激子，激子衰減輻射出光子，而使該OLED發光器件發光。

然而，研究人員發現，受限于發光層3材料的影響，空穴在發光層3中的遷移率和電子在發光層3中的遷移率是不相同的，在此基礎上，一方面，遷移率不同會造成注入到發光層3的空穴和電子的數目不同，而載流子(即電子和空穴)注入不平衡會嚴重影響器件的性能和壽命。

另一方面，遷移率不同會造成部分空穴和電子在發光層3與陰極2或發光層3與陽極1的界面處復合形成激子。例如，如圖2所示，在空穴的遷移率大于電子的遷移率的情況下，由于從陽極1注入的空穴在發光層3中傳輸的相對較快，而使得部分空穴和電子在發光層3與陰極2界面處的復合區域31形成激子。如圖3所示，在電子的遷移率大于空穴的遷移率的情況下，由于從陰極2注入的電子在發光層3中傳輸的相對較快，而使得部分空穴和電子在發光層3與陽極1界面處的復合區域31形成激子。而激子在界面處嚴重堆積會使得有機發光二極管猝滅，進一步影響器件的性能和壽命。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種OLED發光器件及顯示裝置，改?善了現有的載流子注入不平衡以及激子在界面處堆積使得有機發光二極管猝滅的問題。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供了一種OLED發光器件，該OLED發光器件包括襯底基板、設置在所述襯底基板上的陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的發光層，所述OLED發光器件還包括解離層，所述解離層用于使到達所述解離層的激子解離成空穴和電子；其中，在電子遷移率大于空穴遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發光層和所述陽極之間；在空穴遷移率大于電子遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發光層和所述陰極之間。

另一方面，提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED發光器件。

本實用新型實施例提供了一種OLED發光器件及顯示裝置，本實用新型實施例通過設置解離層，使得擴散到解離層的激子解離成空穴和電子，在電子遷移率大于空穴遷移率的情況下，解離層設置在發光層和陽極之間，陰極和陽極同時加載電壓，在外電場作用下，由解離層解離出的空穴重新回到發光層參與發光，而部分電子向陽極運動，從而使得注入到發光層的電子數目減少，進而改善載流子(包括空穴和電子)注入不平衡的問題；在空穴遷移率大于電子遷移率的情況下，解離層設置在發光層和陰極之間，陰極和陽極同時加載電壓，在外電場作用下，由解離層解離出的電子重新回到發光層參與發光，而部分空穴向陰極運動，從而使得注入到發光層的空穴數目減少，進而改善載流子注入不平衡的問題；且由于解離層將激子解離成空穴和電子，則在發光層和解離層界面處產生的激子就不會堆積，從而避免發生激子猝滅，進而改善了器件的性能和壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中提供的一種OLED發光器件的結構示意圖一；

圖2為現有技術中提供的一種OLED發光器件的結構示意圖二；

圖3為現有技術中提供的一種OLED發光器件的結構示意圖三；

圖4為本實用新型提供的一種OLED發光器件的結構示意圖一；

圖5為本實用新型提供的一種OLED發光器件的結構示意圖二；

圖6為本實用新型提供的一種OLED發光器件的結構示意圖三；

圖7為圖6解離層的結構示意圖；

圖8為圖4解離層的結構示意圖；

圖9為本實用新型提供的一種OLED發光器件的結構示意圖四；

圖10為本實用新型提供的一種OLED發光器件的結構示意圖五；