[實用新型]一種OLED發(fā)光器件及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420596464.9 | 申請日： | 2014-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN204216094U | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李彥松 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 oled 發(fā)光 器件 顯示裝置 | ||
1.一種OLED發(fā)光器件，包括襯底基板、設置在所述襯底基板上的陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，其特征在于，所述OLED發(fā)光器件還包括解離層，所述解離層用于使到達所述解離層的激子解離成空穴和電子；
其中，在電子遷移率大于空穴遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發(fā)光層和所述陽極之間；
在空穴遷移率大于電子遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發(fā)光層和所述陰極之間。
2.根據(jù)權利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，
所述解離層包括至少一層，且每層均由給體材料和受體材料混合形成；或者，
所述解離層包括至少兩層，且每層由給體材料或受體材料形成且相鄰兩層為不同材料；
其中，所述給體材料的LUMO值大于所述受體材料的LUMO值。
3.根據(jù)權利要求2所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，
所述給體材料是P型有機空穴傳輸材料，包括：P3HT、MEHPPV、PCDTBT、PTB7、PCPDTBT、PBDTTT-CF；
所述受體材料是N型有機電子傳輸材料，包括：PCBM、PC71BM。
4.根據(jù)權利要求1所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述OLED發(fā)光器件還包括：設置在所述發(fā)光層和所述陽極之間的第一有機層和/或設置在所述發(fā)光層和所述陰極之間的第二有機層；
其中，在電子遷移率大于空穴遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發(fā)光層和所述第一有機層之間；
在空穴遷移率大于電子遷移率的情況下，所述解離層設置在所述發(fā)光層和所述第二有機層之間。
5.根據(jù)權利要求4所述的OLED發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機層至少包括空穴傳輸層和空穴注入層的其中之一，所述第二有機層至少包括電子傳輸層和電子注入層的其中之一。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1至5任一項所述的OLED發(fā)光器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
