[實用新型]用于對疊加的硅片進(jìn)行分離的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420589239.2
• 申請日: 2014-10-13
• 公開（公告）號: CN204118104U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳博;劉興翀;林洪峰
• 申請（專利權(quán)）人: 天威新能源控股有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及光伏領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于對疊加的硅片進(jìn)行分離的裝置。

背景技術(shù)

硅是一種四價的非金屬元素,以化合物的形式，作為僅次于氧的最豐富的元素存在于地殼中，主要以熔點很高的氧化物和硅酸鹽的形式存在。在自然界中幾乎沒有游離態(tài)的硅。通常是在電爐中由碳還原二氧化硅而制得的，主要以合金的形式使用(如硅鐵合金)，也與陶瓷材料一起用于金屬陶瓷中，或用作半導(dǎo)體材料(如在晶體管中)和光生電池的元件。

晶體硅為鋼灰色，無定形硅為黑色，密度2.4g/cm3，熔點1414℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體，硬而有光澤，有半導(dǎo)體性質(zhì)。硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似，是正四面體結(jié)構(gòu)。硅的化學(xué)性質(zhì)比較活潑，在高溫下能與氧氣等多種元素化合，不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液，用于造制合金如硅鐵、硅鋼等，單晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料，用于制造大功率晶體管、整流器、太陽能電池等。硅在自然界分布極廣，地殼中約含27.6%，主要以二氧化硅和硅酸鹽的形式存在。地殼中，硅的含量在所有元素中含量僅次于氧，居第二。其形狀分為結(jié)晶形和網(wǎng)狀形

結(jié)晶型的硅是暗黑藍(lán)色的，很脆，是典型的半導(dǎo)體。化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定。在常溫下，除氟化氫以外，很難與其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。

太陽能電池生產(chǎn)過程中，硅片后期進(jìn)行分選插花籃主要是通過人工分選插片或者機(jī)械吸盤手進(jìn)行分選插片，人工分選插片耗時較長，嚴(yán)重影響生產(chǎn)產(chǎn)量；而吸盤手機(jī)械插片時產(chǎn)生裂片、碎片的概率比較大，且設(shè)備容易出現(xiàn)故障，影響產(chǎn)量。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于對疊加的硅片進(jìn)行分離的裝置，該裝置克服現(xiàn)有分選硅片時人工分選插片效率低下和機(jī)械吸盤手分片容易產(chǎn)生碎片的缺點，利用導(dǎo)帶傳動對硅片進(jìn)行傳導(dǎo)分離。

本實用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案是：用于對疊加的硅片進(jìn)行分離的裝置，包括內(nèi)部中空且兩端開口的隔離容器，所述隔離容器內(nèi)部相互對稱的側(cè)壁內(nèi)凹形成凹槽，且凹槽的兩端分別與隔離容器對應(yīng)的開口端連通，隔離容器中設(shè)置有底盤，底盤的側(cè)壁分別設(shè)置在對應(yīng)的凹槽中，且底盤的側(cè)壁與凹槽的側(cè)壁或者底面接觸，底盤能夠沿著凹槽進(jìn)行鉛垂方向的移動，底盤上安裝有重力傳感器，重力傳感器的頂端與底盤的頂端設(shè)置在同一平面中，隔離容器的正上方設(shè)置有分離導(dǎo)帶，且分離導(dǎo)帶的底端與隔離容器的頂端之間的距離小于一塊待分離的硅片的厚度，隔離容器的側(cè)壁設(shè)置有傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶，傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶靠近隔離容器中設(shè)置有凹槽的側(cè)壁，隔離容器靠近傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶的側(cè)壁頂端內(nèi)凹形成導(dǎo)出槽，且導(dǎo)出槽與凹槽連通，導(dǎo)出槽的寬度大于凹槽的寬度，導(dǎo)出槽的深度小于一塊待分離的硅片的厚度，且傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶的頂端與導(dǎo)出槽的底端設(shè)置在同一平面中，底盤下方設(shè)置有上升裝置，上升裝置的頂端與底盤底端中心固定，且上升裝置能夠推動底盤在鉛垂方向進(jìn)行移動。分離導(dǎo)帶和傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶采用現(xiàn)有的傳輸結(jié)構(gòu)，分離導(dǎo)帶和傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶都是采用兩個轉(zhuǎn)輪外壁套上摩擦帶，硅片重疊放置在隔離容器中，在上升裝置的作用下推動硅片在鉛垂方向上升，當(dāng)最上方的硅片逐漸接近分離導(dǎo)帶時，由于分離導(dǎo)帶具有很大的摩擦性，在硅片與分離導(dǎo)帶接觸是，分離導(dǎo)帶能夠帶著硅片向著右方水平移動，導(dǎo)出槽的寬度大于凹槽的寬度，導(dǎo)出槽的深度小于一塊待分離的硅片的厚度能夠使得硅片順利地從隔離容器中移出來，隔離容器的側(cè)壁設(shè)置有傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶，傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶能夠接住分離導(dǎo)帶移出來的硅片，重復(fù)上述過程，就能夠?qū)崿F(xiàn)所有硅片的分離以及移出，當(dāng)所有的硅片移出后，底盤上設(shè)置的重力傳感器檢測到重量低于設(shè)定值，就提供信號反饋，在上述技術(shù)方案中，利用此種傳送方式既能提高工作效率，還可以避免硅片在機(jī)械吸盤手分片方式中產(chǎn)生碎片。?

所述上升裝置包括支撐柱，支撐柱的底端固定有底座，支撐柱的頂端與底盤底端中心接觸，支撐柱的外壁上套合有彈簧，彈簧的兩端分別與底座和底盤底端中心接觸，彈簧能夠推動底盤在鉛垂方向進(jìn)行移動，所述重力傳感器連接有控制箱，且分離導(dǎo)帶和傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶均與控制箱連接。本方案是采用機(jī)械式提升，利用彈簧的彈力使得底盤上升，成本低。

所述上升裝置包括液壓缸以及設(shè)置在液壓缸中的活塞桿，活塞桿的頂端穿過液壓缸的頂端與底盤底端中心固定，液壓缸連接有液壓泵，液壓泵連接有液壓池和控制箱，且重力傳感器、分離導(dǎo)帶和傳送導(dǎo)出導(dǎo)帶均與控制箱連接。本方案是采用液壓式提升，利用液壓力使得底盤上升，工作平穩(wěn)，能夠?qū)μ嵘^程進(jìn)行精確控制。還可以使用氣動上升，計時上升方式，用于對疊加待分離硅片進(jìn)行抬升。?