[實用新型]用于對疊加的硅片進行分離的裝置有效
| 申請號: | 201420589239.2 | 申請日: | 2014-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN204118104U | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 陳博;劉興翀;林洪峰 | 申請(專利權)人: | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 譚新民 |
| 地址: | 610000 四川省成都*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 疊加 硅片 進行 分離 裝置 | ||
1.用于對疊加的硅片進行分離的裝置,其特征在于,包括內部中空且兩端開口的隔離容器(7),所述隔離容器(7)內部相互對稱的側壁內凹形成凹槽(12),且凹槽(12)的兩端分別與隔離容器(7)對應的開口端連通,隔離容器(7)中設置有底盤(5),底盤(5)的側壁分別設置在對應的凹槽(12)中,且底盤(5)的側壁與凹槽(12)的側壁或者底面接觸,底盤(5)能夠沿著凹槽(12)進行鉛垂方向的移動,底盤(5)上安裝有重力傳感器(4),重力傳感器(4)的頂端與底盤(5)的頂端設置在同一平面中,隔離容器(7)的正上方設置有分離導帶(11),且分離導帶(11)的底端與隔離容器(7)的頂端之間的距離小于一塊待分離的硅片的厚度,隔離容器(7)的側壁設置有傳送導出導帶(8),傳送導出導帶(8)靠近隔離容器(7)中設置有凹槽(12)的側壁,隔離容器(7)靠近傳送導出導帶(8)的側壁頂端內凹形成導出槽(9),且導出槽(9)與凹槽(12)連通,導出槽(9)的寬度大于凹槽(12)的寬度,導出槽(9)的深度小于一塊待分離的硅片的厚度,且傳送導出導帶(8)的頂端與導出槽(9)的底端設置在同一平面中,底盤(5)下方設置有上升裝置,上升裝置的頂端與底盤(5)底端中心固定,且上升裝置能夠推動底盤(5)在鉛垂方向進行移動。
2.根據權利要求1所述的用于對疊加的硅片進行分離的裝置,其特征在于,所述上升裝置包括支撐柱(10),支撐柱(10)的底端固定有底座(17),支撐柱(10)的頂端與底盤(5)底端中心接觸,支撐柱(10)的外壁上套合有彈簧(16),彈簧(16)的兩端分別與底座(17)和底盤(5)底端中心接觸,彈簧(16)能夠推動底盤(5)在鉛垂方向進行移動,所述重力傳感器(4)連接有控制箱(13),且分離導帶(11)和傳送導出導帶(8)均與控制箱(13)連接。
3.根據權利要求1所述的用于對疊加的硅片進行分離的裝置,其特征在于,所述上升裝置包括液壓缸(2)以及設置在液壓缸(2)中的活塞桿(3),活塞桿(3)的頂端穿過液壓缸(2)的頂端與底盤(5)底端中心固定,液壓缸(2)連接有液壓泵(14),液壓泵(14)連接有液壓池(1)和控制箱(13),且重力傳感器(4)、分離導帶(11)和傳送導出導帶(8)均與控制箱(13)連接。
4.根據權利要求2或3所述的用于對疊加的硅片進行分離的裝置,其特征在于,所述分離導帶(11)和傳送導出導帶(8)均連接有支架(15),支架(15)與地面固定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





