[實用新型]坩堝

有效

• 申請號: 201420587713.8
• 申請日: 2014-10-11
• 公開（公告）號: CN204097599U
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 王利偉;胡動力
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本實用新型涉及多晶硅領域，尤其涉及一種坩堝。

背景技術

目前坩堝中的硅料的化料基本上是通過將玻璃棒伸入坩堝底部的中間位置來測量剩余硅料高度，從而來準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續的鑄錠質量。

現有坩堝設計中，大部分的坩堝內壁的底部基本上都是在同一個水平面上，小部分的坩堝內壁的底部設置為凹凸不平的結構，現有的坩堝在進行化料控制時，存在以下問題：1、在多晶鑄錠中，鑄錠爐大部分在其頂部和側部分別設置頂部加熱器和側部加熱器，使得置于鑄錠爐中的坩堝內壁的底部的中間位置溫度較低，而坩堝內壁的底部的邊緣位置溫度較高，即其熱場呈現中間位置微凸的等溫面，底部都在同一個水平面上的坩堝的化料的剩余程度由坩堝的熱場決定，這就使得當坩堝底部的中間位置的硅料還有剩余時，坩堝底部的邊緣位置的硅料已化完，進而無法準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續的鑄錠質量；2、底部為凹部不平結構的坩堝雖然能夠使得凹陷的區域的硅料不容易化掉，利于硅料后續的長晶，但其在進行化料控制時，存在以下情況：a總的來說坩堝的底部還是同在一個水平面上，其化料的剩余程度由坩堝的熱場決定，這就使得當坩堝底部的中間位置的硅料還有剩余時，坩堝底部的邊緣位置的硅料已化完，進而無法準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續的鑄錠質量；b由于坩堝一般利用模具制成的，底部為凹凸不平的結構，使得需要相應制定模具，成本較高并且工序較為麻煩。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種能夠準確控制底部化料高度并且模具設計較為簡單的坩堝。

為了解決上述技術問題，本實用新型的實施例提供了一種坩堝，應用于多晶硅鑄錠生產，所述坩堝包括位于其內壁的底部中間位置的中間區域、及包圍所述中間區域的周邊區域，所述中間區域高于所述周邊區域，且所述中間區域向所述周邊區域平滑過渡。

其中，所述中間區域與所述周邊區域之間的高度差沿著自所述中間區域向所述周邊區域輻射的方向逐漸變大。

其中，所述中間區域與所述周邊區域的邊緣之間的所述高度差為0.1～5cm。

其中，所述中間區域與所述周邊區域的邊緣位置之間的所述高度差為0.4cm。

其中，所述中間區域占據所述坩堝內壁的底部的面積為10％～30％。

其中，所述坩堝內壁的底部為曲面。

其中，所述坩堝內壁還涂覆一層氮化硅涂層。

其中，所述坩堝的材質為石英砂。

本實用新型提供的坩堝通過將所述坩堝內壁的底部設置為中間高，周圍低的形狀，并且中間高的區域與周圍低的區域平滑過渡，使得所述坩堝內壁的底部形狀類似于所述坩堝的熱場的中間位置微凸的等溫面，其中，由于中間區域較高，周邊區域較低，故在同一個水平線上，周邊區域的硅料會多于中間區域的硅料，使得當實驗人員控制所述坩堝中的硅料的化料情況時，伸入玻璃棒測試中間區域的硅料的剩余高度，當中間區域的硅料剩余不多時，因為周邊區域的硅料多于中間區域的硅料，能夠保證此時周邊區域還是有硅料剩余，克服了所述坩堝由受到其熱場的分布的影響，而導致現有技術中周邊區域的硅料完全熔化掉的情況，從而來準確控制坩堝底部有一層淺淺的硅料覆蓋，來保證后續的鑄錠質量。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例提供的坩堝的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施方式中的附圖，對本實用新型實施方式中的技術方案進行清楚、完整地描述。

請參閱圖1，本實用新型實施方式提供的一種坩堝100，應用于多晶硅鑄錠生產，所述坩堝100包括內壁10和外壁20。

本實施例中，所述坩堝100的材質為石英砂，以保證其堅硬、耐磨性及耐熱性，使得在加熱時，所述坩堝100的化學性能不會發生改變。當然，在其他實施例中，所述坩堝100的材質也可為粘土、瓷土或石墨等。

本實施例中，為了進一步的改進，所述內壁10上涂覆一層氮化硅涂層，以進一步增強所述內壁10的硬度、耐高溫性能以及耐磨性能。當然，在其他實施例中，所述內壁10上也可涂覆陶瓷涂層。