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[實(shí)用新型]一種遲滯軟啟動(dòng)電路有效

專利信息
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> 201420587130.5 申請(qǐng)日: 2014-10-08
公開(公告)號(hào): CN204244067U 公開(公告)日: 2015-04-01
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: 王文建 申請(qǐng)(專利權(quán))人: 浙江商業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院
主分類號(hào): H02M1/36 分類號(hào): H02M1/36
代理公司: 暫無(wú)信息 代理人: 暫無(wú)信息
地址: 310053 浙*** 國(guó)省代碼: 浙江;33
權(quán)利要求書: 查看更多 說(shuō)明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 遲滯 啟動(dòng) 電路
【權(quán)利要求書】:

1.遲滯軟啟動(dòng)電路,其特征在于包括分壓電路、偏置電路、遲滯比較電路和電容充放電電路:

所述分壓電路是對(duì)基準(zhǔn)電壓進(jìn)行分壓作為所述偏置電路和所述遲滯比較電路和所述電容充放電電路的參考電壓;

所述偏置電路是提供給所述遲滯比較電路偏置電流;

所述遲滯比較電路是對(duì)所述電容充放電電路的電容上的電壓和所述分壓電路分壓出來(lái)的參考電壓進(jìn)行比較;

所述電容充放電電路是對(duì)所述充放電電路的電容上進(jìn)行充放電。

2.如權(quán)利要求1所述的遲滯軟啟動(dòng)電路,其特征在于所述分壓電路包括第一電阻、第二電阻和第三電阻:

所述第一電阻的一端接基準(zhǔn)電壓VREF,另一端接所述第二電阻的一端和所述遲滯比較電路和所述電容充放電電路;

所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端和所述遲滯比較電路和所述電容充放電電路,另一端接所述偏置電路;

所述第三電阻的一端接所述第二電阻的一端和所述偏置電路,另一端接地。

3.如權(quán)利要求1所述的遲滯軟啟動(dòng)電路,其特征在于所述偏置電路包括第一運(yùn)放、第一PMOS管、第一NMOS管、第四電阻和第二PMOS管:

所述第一運(yùn)放的正端接第二電阻的一端和第三電阻的一端,負(fù)端接所述第一NMOS管的源極和所述第四電阻的一端,輸出端接所述第一NMOS管的柵極;

所述第一PMOS管的柵極接漏極和所述第一NMOS管的漏極和所述第二PMOS管的柵極,源極接電源VCC;

所述第一NMOS管的柵極接所述第一運(yùn)放的輸出端,漏極接所述第一PMOS管的漏極和柵極和所述第二PMOS管的柵極,源極接第四電阻的一端和所述第一運(yùn)放的負(fù)端;

所述第四電阻的一端接所述第一運(yùn)放的負(fù)端和所述第一NMOS管的源極,另一端接地;

所述第二PMOS管的柵極接所述第一PMOS管的柵極和漏極和所述第一NMOS管的漏極,漏極接所述遲滯比較電路,源極接電源VCC。

4.如權(quán)利要求1所述的遲滯軟啟動(dòng)電路,其特征在于所述遲滯比較電路包括第三PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管:

所述第三PMOS管的柵極接漏極和所述第六PMOS管的柵極和所述第二NMOS管的漏極,源極?接電源VCC;

所述第二NMOS管的柵極接所述第四PMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極,漏極接所述第三PMOS管的柵極和漏極和所述第六PMOS管的柵極,源極接地;

所述第四PMOS管的柵極接第一電阻的一端和第二電阻的一端和電容充放電電路,漏極接所述第二NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極,源極接第二PMOS管的漏極和第五PMOS管的源極;

所述第三NMOS管的柵極接漏極和所述第二NMOS管的柵極和第四PMOS管的漏極和第五NMOS管的漏極和第四NMOS管的柵極,源極接地;

所述第四NMOS管的柵極接所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第二NMOS管的柵極和所述第四PMOS管的漏極和所述第五NMOS管的漏極,漏極接所述第五NMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極和漏極和所述第七NMOS管的柵極和所述第五PMOS管的漏極,源極接地;

所述第五NMOS管的柵極接所述第六NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的漏極和所述第五PMOS管的漏極和所述第七NMOS管的柵極,漏極接所述第二NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的柵極和所述第四PMOS管的漏極,源極接地;

所述第六NMOS管的柵極接漏極和所述第五NMOS管的柵極和所述第四NMOS管的漏極和所述第七NMOS管的柵極和所述第五PMOS管的漏極,源極接地;

所述第七NMOS管的柵極接所述第五NMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極和漏極和所述第四NMOS管的漏極和所述第五PMOS管的漏極,漏極接所述第六PMOS管的漏極和所述電容充放電電路,源極接地;

所述第五PMOS管的柵極接所述電容充放電電路,漏極接所述第四NMOS管的漏極和所述第五NMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極和漏極和所述第七NMOS管的柵極,源極接所述第二PMOS管的漏極和所述第四PMOS管的源極;

所述第六PMOS管的柵極接所述第三PMOS管的柵極和漏極和所述第二NMOS管的漏極,漏極接所述第七NMOS管的漏極和所述電容充放電電路,源極接電源VCC。

5.如權(quán)利要求1所述的遲滯軟啟動(dòng)電路,其特征在于所述電容充放電電路包括第一反相器、第二反相器、第七PMOS管、第八PMOS管、第八NMOS管、第三反相器、第一電容、第九NMOS管和第十NMOS管:

所述第一反相器的輸入端接第七NMOS管的漏極和第六PMOS管的漏極,輸出端接所述第三反相器的輸入端和所述第七PMOS管的柵極和所述第十NMOS管的柵極;

所述第二反相器的輸入端接電源VCC,輸出端接所述第八PMOS管的柵極和所述第八NMOS管的柵極;

所述第七PMOS管的柵極接所述第一反相器的輸出端和所述第三反相器的輸入端和所述第十NMOS管的柵極,漏極接所述第八PMOS管的源極,源極接電源VCC;

所述第八PMOS管的柵極接所述第二反相器的輸出端和所述第八NMOS管的柵極,漏極接所述第八NMOS管的漏極和所述第一電容的一端和第五PMOS管的柵極和第十NMOS管的漏極,源極接所述第七PMOS管的漏極;

所述第八NMOS管的柵極接所述第二反相器的輸出端和所述第八PMOS管的柵極,漏極接所述第一電容的一端和所述第五PMOS管的柵極和所述第十NMOS管的漏極,源極接地;

所述第三反相器的輸入端接第一反相器的輸出端和所述第七PMOS管的柵極和所述第十NMOS管的柵極,輸出端接所述第九NMOS管的柵極;

所述第一電容的一端接所述第五PMOS管的柵極和所述第十NMOS管的漏極和所述第八PMOS管的漏極和所述第八NMOS管的漏極,另一端接地;

所述第九NMOS管的柵極接所述第三反相器的輸出端,漏極接第一電阻的一端和第二電阻的一端和第四PMOS管的柵極,源極接所述第十NMOS管的源極和軟啟動(dòng)信號(hào)輸出;

所述第十NMOS管的柵極接所述第七PMOS管的柵極和所述第一反相器的輸出端和所述第三反相器的輸入端,漏極接所述第五PMOS管的柵極和所述第一電容的一端和所述第八PMOS管的漏極和所述第八NMOS管的漏極,源極接所述第九NMOS管的源極和軟啟動(dòng)信號(hào)輸出。

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