[實用新型]可升降臭氧氧化設備有效
| 申請號: | 201420580141.0 | 申請日: | 2014-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN204257612U | 公開(公告)日: | 2015-04-08 |
| 發明(設計)人: | 費存勇;王志剛;魯偉明;李省;初仁龍 | 申請(專利權)人: | 泰州德通電氣有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 趙楓 |
| 地址: | 225300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 升降 臭氧 氧化 設備 | ||
1.一種可升降臭氧氧化設備,由底柱(1)、下底板(2)、臭氧激發裝置(3)組成,其特征是:在所述的下底板(2)與所述的臭氧激發裝置(3)之間設置有升降裝置(4),所述升降裝置(4)包括有上底板(5)、導柱(6)及傳動裝置(7)。
2.根據權利要求1所述的一種可升降臭氧氧化設備,其特征是:所述臭氧激發裝置(3)與所述上底板(5)的正面固定連接,所述的上底板(5)的反面設置有多個圓形定位凹槽(8),所述圓形定位凹槽(8)的數量至少有四個,所述圓形定位凹槽(8)的內部設置有多個螺紋通孔(10),所述的螺紋通孔(10)以圓形定位凹槽(8)中心對稱排列。
3.?根據權利要求1所述的一種可升降臭氧氧化設備,其特征是:所述的導柱(6)呈階梯狀(9),在所述階梯狀(9)處設置有多個螺紋通孔(10),所述螺紋通孔(10)以導柱(6)的中心對稱分布,在導柱的側邊設置有槽(11),在所述的槽(11)上固定連接有齒條(15)。
4.?根據權利要求1所述的一種可升降臭氧氧化設備,其特征是:所述的下底板(2)上正面設置有多個圓形通孔(12)。
5.?根據權利要求1所述的一種可升降臭氧氧化設備,其特征是:所述傳動裝置(7)包括水平設置于兩個相鄰兩個導柱之間的導向軸(13),所述導向軸(13)的兩端各設置有一個同步輪(14),所述的導柱(6)的豎直方向上固定連接有齒條(15),每個同步輪(14)與相對應導柱(6)上的齒條(15)嚙合,所述導向軸(13)上還設置有位于兩個同步輪(14)之間的驅動輪(16),所述驅動輪(16)連接到動力裝置(17)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





