[實用新型]一種半導體場效應管

有效

• 申請號: 201420575835.5
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN204130547U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 夏洪貴
• 申請（專利權）人: 夏洪貴
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種半導體器件，尤其涉及一種半導體場效應管。

背景技術

場效應管就是場效應晶體管(Field?Effect?Transistor縮寫(FET))，由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

目前，場效應管制造工藝已趨于完善，但仍存在結構復雜、抗輻射、噪音能力弱、溫度特性差等問題。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、溫度特性好、噪音低、抗輻射性能力強的半導體場效應管。

本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種半導體場效應管，包括P型硅襯底，所述P型硅襯底底面設置有第一鋁電極，所述第一鋁電極上設置有B型襯底引線，所述P型硅襯底上表面兩端設置有對稱N型區，所述對稱N型區上方分別設置有第二鋁電極、第三鋁電極，所述第二鋁電極上設置有源極，所述第三鋁電極上設置有漏極，所述第二鋁電極與第三鋁電極之間設置有SiO₂絕緣層，所述SiO₂絕緣層上設置有第四鋁電極，所述第四鋁電極上設置有柵極。

所述P型硅襯底是一塊雜質濃度較低的P型硅片，在上面擴散兩個相距很近、摻雜濃度高的N型區，分別引出兩個電極，分別稱為源極和漏極，在硅片表面生成一層薄薄的絕緣層，絕緣層上再制作一層鋁金屬膜作為柵極。柵極與源極之間是3段斷續線，表示為增強型，B為襯底引線，一般與源極相連。由于柵極與其他電極及硅片之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場效應管。

在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。

進一步，所述B型襯底引線為鍍銅金屬線，所述鍍銅金屬線作為引線，具有較好的導電性有利于電流的收集，同時成本較低。

進一步，所述第一鋁電極為鉑鋁合金，所述鉑鋁合金具有較強的抗氧化性，同時導電性好，有利于電子、空穴的傳輸。

進一步，所述SiO₂絕緣層為絕緣陶瓷材料，所述絕緣陶瓷材料抗高溫氧化，具有較好的溫度特性和絕緣特性，有利于防止漏電現象。

本實用新型的有益效果是：結構簡單、溫度特性好、噪音低、抗輻射性能力強。

附圖說明

圖1為本實用新型一種半導體場效應管結構示意圖；

附圖中，各標號所代表的部件列表如下：1、P型硅襯底，2、對稱N型區，3、第二鋁電極，4、源極，5、柵極，6、SiO₂絕緣層，7、第三鋁電極，8、漏極，9、第四鋁電極，10、第一鋁電極，11、B型襯底引線。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。

如圖1所示，一種半導體場效應管，包括P型硅襯底1，所述P型硅襯底底面設置有第一鋁電極10，所述第一鋁電極10上設置有B型襯底引線11，所述P型硅襯底1上表面兩端設置有對稱N型區2，所述對稱N型區2上方分別設置有第二鋁電極3、第三鋁電極7，所述第二鋁電極3上設置有源極4，所述第三鋁電極7上設置有漏極8，所述第二鋁電極3與第三鋁電極7之間設置有SiO₂絕緣層6，所述SiO₂絕緣層6上設置有第四鋁電極9，所述第四鋁電極9上設置有柵極5。

所述P型硅襯底1是一塊雜質濃度較低的P型硅片，在上面擴散兩個相距很近、摻雜濃度高的對稱N型區2，分別引出兩個電極，分別稱為源極4和漏極8，在硅片表面生成一層薄薄的絕緣層6，絕緣層6上再制作一層鋁金屬膜作為柵極5。柵極5與源極4之間是3段斷續線，表示為增強型，B為襯底引線11，一般與源極4相連。由于柵極5與其他電極及硅片之間是絕緣的，所以稱為絕緣柵型場效應管。

所述B型襯底引線11為鍍銅金屬線，所述鍍銅金屬線作為引線，具有較好的導電性有利于電流的收集，同時成本較低；所述第一鋁電極10為鉑鋁合金，所述鉑鋁合金具有較強的抗氧化性，同時導電性好，有利于電子、空穴的傳輸；所述SiO₂絕緣層6為絕緣陶瓷材料，所述絕緣陶瓷材料抗高溫氧化，具有較好的溫度特性和絕緣特性，有利于防止漏電現象。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。