[實用新型]一種半導體場效應管有效
| 申請號： | 201420575835.5 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN204130547U | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發明（設計）人： | 夏洪貴 | 申請（專利權）人： | 夏洪貴 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 402360 重慶市大*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 場效應 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體場效應管，其特征在于，包括P型硅襯底，所述P型硅襯底底面設置有第一鋁電極，所述第一鋁電極上設置有B型襯底引線，所述P型硅襯底上表面兩端設置有對稱N型區，所述對稱N型區上方分別設置有第二鋁電極、第三鋁電極，所述第二鋁電極上設置有源極，所述第三鋁電極上設置有漏極，所述第二鋁電極與第三鋁電極之間設置有SiO2絕緣層，所述SiO2絕緣層上設置有第四鋁電極，所述第四鋁電極上設置有柵極。
2.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特征在于，所述B型襯底引線為鍍銅金屬線。
3.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特征在于，所述第一鋁電極為鉑鋁合金。
4.根據權利要求1所述一種半導體場效應管，其特征在于，所述SiO2絕緣層為絕緣陶瓷材料。
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