[實用新型]具有寬闊的指向角的發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420560909.8
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN204189821U
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鍾敏;李俊燮;徐大雄;盧元英;姜珉佑;蔡鐘炫;金賢兒;裴善敏
• 申請（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/22
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王兆賡;韓明星

1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)體；

基板，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體上；

反射防止層，覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體及所述基板的側(cè)面，

其中，所述基板的上面的至少一部分被暴露。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述基板包括：倒角面，形成于所述基板的上部邊角且傾斜，

所述反射防止層覆蓋所述倒角面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述基板還包括：凹凸圖案，形成于所述基板的上面且具有凸出部和凹陷部，

所述反射防止層填充所述凹凸圖案的凹陷部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述基板的上面通過所述凹凸圖案的凸出部而局部暴露。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述凹陷部具有V字形狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述倒角面的傾斜率與所述凹陷部的傾斜率相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述反射防止層包含SiO₂、SiN_x、SiON、MgF₂、MgO、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO、TiO₂、Ta₂O₅、ZnS、CeO、CeO₂中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體發(fā)射具有紫外線區(qū)域的峰值波長的光。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括：

電極，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體下面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)體包括：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

多個凸臺，彼此隔開而布置于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下面，且分別包含活性層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

反射電極，位于所述多個凸臺中的每個的下面而歐姆接觸于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

電流分散層，覆蓋所述多個凸臺及所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，且位于所述多個凸臺中的每個的下面區(qū)域，并具有使所述反射電極暴露的開口部，且歐姆接觸于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，并與所述多個凸臺形成絕緣。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其特征在于，

所述多個凸臺具有沿一側(cè)方向彼此平行且延伸的長形狀，且所述電流分散層的開口部偏向所述多個凸臺的同一端部側(cè)而布置。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括：

上部絕緣層，覆蓋所述電流分散層的至少一部分，并具有使所述反射電極暴露的開口部；

第二電極墊，位于所述上部絕緣層上，并連接到通過所述上部絕緣層的開口部而暴露的反射電極。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其特征在于，還包括：

第一電極墊，連接到所述電流分散層。