[實用新型]具有寬闊的指向角的發光器件

有效

• 申請號: 201420560909.8
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN204189821U
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 張鍾敏;李俊燮;徐大雄;盧元英;姜珉佑;蔡鐘炫;金賢兒;裴善敏
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/22
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王兆賡;韓明星

技術領域

本實用新型涉及一種發光器件，具體地講，涉及一種通過表面處理等而具有寬闊的指向角的發光器件。

背景技術

發光器件作為發射通過電子和空穴的再結合來產生的光的無機半導體器件，近年來廣泛使用于顯示器、車輛燈、普通照明等各種領域。尤其是，氮化鎵、氮化鋁等氮化物半導體具有直接躍遷型特性，并且可制造為具有多種帶域的能帶間隙，從而可根據需要制造多種波長帶的發光器件。

發光器件根據其用途需要多種范圍的指向角，例如，用于顯示器的背光源或者用于殺菌裝置等的UV發光器件優選為具有寬闊的指向角。因此，應用透鏡之類的附加的構成或者應用對發光器件進行表面處理等的技術以加寬發光器件的指向角。

此外，沒有利用單獨的封裝件主體的晶圓級封裝件或者板上芯片(chip-on-board)形態的發光器件要求在沒有透鏡之類的單獨的附加構成的情況下調節指向角。然而，雖然現有的表面加工技術等可提高發光器件的光提取效率，但是難以加寬指向角。尤其是，對于UV發光器件而言，由于無法應用利用可能因UV光而變形或劣化的材質的模塑部或透鏡，因此在應用加寬指向角的技術時受限。

因此，對于沒有應用封裝件主體或透鏡的發光器件需要加寬指向角的技術。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種具有寬闊的指向角的發光器件。

本實用新型所要解決的另一個技術問題在于，提供一種不包含透鏡之類的附加的構成且具有寬闊的指向角的發光器件。

根據本實用新型的一個實施例的發光器件，包括：發光結構體；基板，位于所述發光結構體上；反射防止層，覆蓋所述發光結構體及所述基板的側面，其中，所述基板的上面的至少一部分暴露。

所述基板可包括：倒角面，形成于所述基板的上部邊角且傾斜，所述反射防止層可覆蓋所述倒角面。

此外，所述基板還可包括：凹凸圖案，形成于所述基板的上面且具有凸出部和凹陷部，所述反射防止層可填充所述凹凸圖案的凹陷部。

所述基板的上面可通過所述凹凸圖案的凸出部而局部暴露。

此外，所述凹陷部可具有V字形狀。

所述倒角面的傾斜率可與所述凹陷部的傾斜率相同。

所述反射防止層可包含SiO₂、SiN_x、SiON、MgF₂、MgO、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO、TiO₂、Ta₂O₅、ZnS、CeO、CeO₂中的一種。

此外，所述發光結構體可發射具有紫外線區域的峰值波長的光。

所述發光器件還可包括：電極，位于所述發光結構體下面。

在幾個實施例中，所述發光結構體包括：第一導電型半導體層；多個凸臺，彼此隔開而位于所述第一導電型半導體層下面，且分別包含活性層及第二導電型半導體層；反射電極，位于所述多個凸臺中的每個的下面而歐姆接觸于所述第二導電型半導體層；電流分散層，覆蓋所述多個凸臺及所述第一導電型半導體層，且位于所述多個凸臺中的每個的下面區域，并具有使所述反射電極暴露的開口部，且歐姆接觸于所述第一導電型半導體層，并與所述多個凸臺形成絕緣。

所述多個凸臺具有沿一側方向彼此平行且延伸的長的形狀，且所述電流分散層的開口部可偏向所述多個凸臺的同一個端部側而布置。

此外，所述發光器件還可包括：上部絕緣層，覆蓋所述電流分散層的至少一部分，并具有使所述反射電極暴露的開口部；第二電極墊，位于所述上部絕緣層上，并連接到通過所述上部絕緣層的開口部而暴露的反射電極。

此外，所述發光器件還可包括：第一電極墊，連接到所述電流分散層。

根據本實用新型，由于包含反射防止層和上表面至少一部分暴露的基板，因此可提供具有寬闊的指向角的發光器件。此外，可提供與發光角度無關而發射大致恒定的光量的發光器件，并且在不添加額外的構成的情況下提供具有寬闊的指向角的發光器件，從而可提高發光器件的可靠性。

附圖說明

圖1至圖4是用于說明根據本實用新型的一個實施例的發光器件及其制造方法的剖面圖。

圖5至圖7是用于說明根據本實用新型的另一個實施例的發光器件及其制造方法的剖面圖。

圖8A至圖12B是用于說明根據本實用新型的又一個實施例的發光器件的剖面圖和平面圖。

具體實施方式