[實(shí)用新型]一種溢流槽

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420559404.X
• 申請(qǐng)日: 2014-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN204167272U
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭淑剛;李朝;趙愛爽
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 廣州知友專利商標(biāo)代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種硅片清洗設(shè)備，特別是一種帶有吹氣管道的溢流槽。

背景技術(shù)

現(xiàn)階段多數(shù)太陽能電池均以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)，讓光電材料吸收光能，再?gòu)墓怆娹D(zhuǎn)化效應(yīng)中獲得電能。晶體硅具有較好的光電轉(zhuǎn)化效率，污染隱患又比較小，故在本領(lǐng)域的應(yīng)用最為廣泛。在太陽能電池的晶體硅制作過程中，必須祛除晶體硅片表面的雜質(zhì)，以保證后續(xù)的加工能在一個(gè)潔凈光滑的晶體硅片表面上進(jìn)行。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中用于清洗晶體硅片雜質(zhì)的溢流槽一般包括溢流管2和槽體1，槽體1內(nèi)裝有能與雜質(zhì)中的污染物產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和具有溶解功能的液體介質(zhì)3，其液面和溢流管2的入口4基本持平；機(jī)械手將晶體硅片放入槽體1內(nèi)(附圖未顯示)，使其完全沒入介質(zhì)3中，晶體硅片表面的雜質(zhì)5便會(huì)逐漸與晶體硅片分離，并漂浮于介質(zhì)的液面；與此同時(shí)溢流槽內(nèi)介質(zhì)的液面將變得高于溢流管2的入口4，部分介質(zhì)3便會(huì)攜帶漂浮的雜質(zhì)5一起流入溢流管2，將它們排出槽體1。

上述清洗晶體硅片方法的缺點(diǎn)是，用常規(guī)的介質(zhì)溢流將雜質(zhì)沖入溢流管，速度太慢，部分雜質(zhì)將在介質(zhì)的液面上長(zhǎng)時(shí)間停留，機(jī)械手將清洗完畢的晶體硅片取出時(shí)，雜質(zhì)會(huì)重新粘附到晶體硅片的表面上，削弱介質(zhì)對(duì)晶體硅片的清潔效果。加大水流又會(huì)增加水和能源的耗費(fèi)，還可能使水流超出溢流管的承壓能力。因此，有必要改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)中溢流槽的結(jié)構(gòu)，以有效解決雜質(zhì)重新粘附的技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種能讓溢流槽內(nèi)介質(zhì)液面上的雜質(zhì)快速進(jìn)入溢流管的結(jié)構(gòu)；為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是：一種溢流槽，包括槽體和溢流管，槽體內(nèi)裝有清洗硅片的介質(zhì)，溢流管連通于槽體的頂部；其特征在于：槽體的頂部還安裝有吹氣管道，吹氣管道上帶有面向槽體內(nèi)部的吹氣口，吹氣口的高度不低于液面高度，從吹氣口吹出的高壓氣體能將漂浮在介質(zhì)上的雜質(zhì)吹掃到溢流管中。

作為上述結(jié)構(gòu)的優(yōu)選方案，槽體應(yīng)為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，包括4個(gè)豎直的構(gòu)成長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，吹氣管道被固定于槽體上其中一個(gè)側(cè)壁的頂部，該側(cè)壁為安裝側(cè)壁，溢流管在與安裝側(cè)壁相對(duì)的側(cè)壁上連通槽體，從吹氣口吹出的高壓氣流的運(yùn)動(dòng)方向與雜質(zhì)跟隨介質(zhì)流動(dòng)的方向大致相當(dāng)；作為進(jìn)一步的優(yōu)選方案，吹氣管道上帶有多個(gè)吹氣口，吹氣口沿著安裝側(cè)壁頂部的長(zhǎng)度方向均勻排列。

溢流管連通槽體的具體結(jié)構(gòu)為：槽體上與安裝側(cè)壁相對(duì)的側(cè)壁為溢流側(cè)壁，溢流側(cè)壁的高度略低于安裝側(cè)壁和槽體的其余2個(gè)側(cè)壁；溢流側(cè)壁上延伸出一個(gè)與溢流側(cè)壁等長(zhǎng)的長(zhǎng)方體溢流區(qū)，溢流側(cè)壁與另外3個(gè)處于槽體之外的側(cè)壁共同圍閉溢流區(qū)的側(cè)面，共同限定溢流區(qū)的水平截面面積；溢流區(qū)的深度小于槽體的深度，溢流側(cè)壁的頂部與溢流區(qū)的另外3個(gè)側(cè)壁的頂部具有垂直高度差，因此溢流側(cè)壁僅局部阻隔溢流區(qū)和槽體；溢流管安裝在溢流區(qū)的底部，通過接通溢流區(qū)連通槽體內(nèi)部；溢流區(qū)的水平截面面積大于溢流管的水平截面面積。

上述結(jié)構(gòu)帶來的有益效果是：

1.在槽體上接近液面的位置安裝吹氣管道和多個(gè)吹氣口，讓高壓氣流吹掃雜質(zhì)，配合介質(zhì)的溢流將雜質(zhì)迅速推送往溢流管，避免雜質(zhì)長(zhǎng)時(shí)間停留在溢流槽內(nèi)介質(zhì)的液面上，導(dǎo)致晶體硅片被取出時(shí)雜質(zhì)重新粘附到晶體硅片上。

2.讓溢流管通過長(zhǎng)方體的溢流區(qū)連通槽體內(nèi)部，并讓溢流區(qū)的水平截面面積大于溢流管的水平截面面積，有利于讓上半部在短時(shí)間內(nèi)先聚集被吹掃到此處的雜質(zhì)，避免雜質(zhì)長(zhǎng)時(shí)間停留在溢流槽內(nèi)重新粘附到晶體硅片上，也有利于讓雜質(zhì)徹底地隨水流進(jìn)入下半部，并降低雜質(zhì)和介質(zhì)回流或倒灌的可能。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的溢流槽結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的溢流槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型的溢流槽的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖標(biāo)記：1.槽體；2.溢流管；3.介質(zhì)；4.入口；5.雜質(zhì)；6.吹氣管道；7.吹氣口；8.溢流區(qū)；9.安裝側(cè)壁；10.液面；11.溢流側(cè)壁。

具體實(shí)施方式

如圖2所示的是本實(shí)用新型的溢流槽，與現(xiàn)有技術(shù)相同的是，它包括槽體1和溢流管2，槽體1內(nèi)裝有清洗晶體硅片的介質(zhì)3，溢流管2連通到槽體1的內(nèi)部；與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，槽體1的頂部還安裝有連通增壓裝置(附圖未顯示)的吹氣管道6。