[實用新型]一種溢流槽有效
| 申請號: | 201420559404.X | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN204167272U | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | 鄭淑剛;李朝;趙愛爽 | 申請(專利權)人: | 晶澳太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
| 地址: | 055550 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 溢流 | ||
1.一種溢流槽,包括槽體和溢流管,槽體內裝有清洗硅片的介質,溢流管連通于槽體的頂部;其特征在于:槽體的頂部還安裝有吹氣管道,吹氣管道上帶有面向槽體內部的吹氣口,吹氣口的高度不低于液面高度,從吹氣口吹出的高壓氣體能將漂浮的雜質吹掃到溢流管中。
2.根據權利要求1所述的溢流槽,其特征是:槽體為長方體結構,包括4個豎直的構成長方體結構的側壁,吹氣管道被固定于槽體上其中一個側壁的頂部,該側壁為安裝側壁,溢流管在與安裝側壁相對的側壁上連通槽體,從吹氣口吹出的高壓氣流的運動方向與雜質跟隨介質流動的方向大致相當。
3.根據權利要求2所述的溢流槽,其特征是:所述吹氣管道上帶有多個吹氣口,吹氣口沿著安裝側壁頂部的長度方向均勻排列。
4.根據權利要求3所述的溢流槽,其特征是,溢流管連通槽體的具體結構為:槽體上與安裝側壁相對的側壁為溢流側壁,溢流側壁的高度略低于安裝側壁和槽體的其余2個側壁;溢流側壁上延伸出一個與溢流側壁等長的長方體溢流區,溢流側壁與另外3個處于槽體之外的側壁共同圍閉溢流區的側面,共同限定溢流區的水平截面面積;溢流區的深度小于槽體的深度,溢流側壁的頂部與溢流區的另外3個側壁的頂部具有垂直高度差,因此溢流側壁僅局部阻隔溢流區和槽體;溢流管安裝在溢流區的底部,通過接通溢流區連通槽體內部;溢流區的水平截面面積大于溢流管的水平截面面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





