[實(shí)用新型]一種中子源防護(hù)罐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420548906.2 | 申請日: | 2014-09-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN204189465U | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李小明;羅曉渭;郭俊;郭朝選;張铻 | 申請(專利權(quán))人: | 中國輻射防護(hù)研究院 |
| 主分類號(hào): | G21F3/00 | 分類號(hào): | G21F3/00 |
| 代理公司: | 北京天悅專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任曉航 |
| 地址: | 030006 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 中子源 防護(hù) | ||
1.一種中子源防護(hù)罐,該防護(hù)罐包括罐體和盛裝容器(7),所述罐體上端具有開口,所述盛裝容器(7)的中下部從罐體開口插入罐體內(nèi),其特征是:所述盛裝容器(7)的底端和外圍均設(shè)有中子慢化層,所述中子慢化層的外圍設(shè)有熱中子吸收層,所述熱中子吸收層的外圍設(shè)有γ射線屏蔽層。
2.如權(quán)利要求1所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述中子慢化層為含硼聚乙烯層(4),所述熱中子吸收層為鎘層(5),所述γ射線屏蔽層為鉛層(6)。
3.如權(quán)利要求2所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述含硼聚乙烯屏蔽層(4)與盛裝容器(7)內(nèi)壁之間設(shè)有間隙。
4.如權(quán)利要求3所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述含硼聚乙烯屏蔽層(4)與鎘層(5)采用粘接連接。
5.如權(quán)利要求4所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述鎘層(5)與鉛層(6)采用粘接連接。
6.如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述罐體包括外壁(2)和底蓋(1),所述外壁(2)和底蓋(1)通過焊接形成密閉體。
7.如權(quán)利要求6所述的中子源防護(hù)罐,其特征是:所述罐體的兩側(cè)設(shè)有搬運(yùn)環(huán)(3)。
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