[實用新型]一種中子源防護罐有效
| 申請號: | 201420548906.2 | 申請日: | 2014-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN204189465U | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 李小明;羅曉渭;郭俊;郭朝選;張铻 | 申請(專利權)人: | 中國輻射防護研究院 |
| 主分類號: | G21F3/00 | 分類號: | G21F3/00 |
| 代理公司: | 北京天悅專利代理事務所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;任曉航 |
| 地址: | 030006 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 中子源 防護 | ||
技術領域
本實用新型屬于輻射防護設備領域,具體涉及一種中子源防護罐,用于解決中子屏蔽問題。
背景技術
隨著核能技術的發展應用,越來越多的中子源裝置在物理、生物、化學、醫藥、工程、石油勘探、核工業、以及工業生產中材料探傷、測井、活化分析等領域有了更廣泛的用途,由此帶來的輻射安全與防護問題也變得越來越重要。由于中子的穿透性極強,會對人體、環境、儀器設備等產生較強的輻射損傷,程度嚴重的直接威脅到人員生命安全和儀器設備的正常工作,所以對中子源進行良好地屏蔽,避免出現輻射安全問題,是使中子源更好地服務于人類的有效手段。對中子的屏蔽一般通過輕元素慢化快中子至較低能量,再使用硼、鋰、鎘等材料進行吸收,以達到減低屏蔽體外中子劑量至安全水平的目的。本中子源防護罐采用快中子慢化層、熱中子吸收層和γ射線屏蔽層等多層復合屏蔽,可有效屏蔽中子源產生的熱中子、快中子以及γ射線,有效防止中子輻射對職業工作人員和公眾產生輻射危害和損傷。本中子源防護罐中子防護結構具有防護性能優、結構可靠、可適用于有溫差較大的環境等優點,同時具有良好的物理性能和機械性能,在輻射防護領域具有良好的推廣應用價值。
實用新型內容
針對現有技術中存在的缺陷,本實用新型提供一種中子源防護罐,該防護罐能夠對罐內的中子以及在吸收中子的過程中產生的γ射線進行屏蔽,有效防工作人員和公眾受到危害和損傷;防護性能好,結構可靠。
為達到以上目的,本實用新型采用的技術方案是:提供一種中子源防護罐,該防護罐包括罐體和盛裝容器,所述罐體上端具有開口,所述盛裝容器的中下部從罐體開口插入罐體內,所述盛裝容器的底端和外圍均設有中子慢化層,所述中子慢化層外圍設有熱中子吸收層,熱中子吸收層的外圍設有γ射線屏蔽層。
進一步,所述中子慢化層為含硼聚乙烯層,所述熱中子吸收層為鎘層,所述γ射線屏蔽層為鉛層。
進一步,所述含硼聚乙烯屏蔽層與盛裝容器內壁之間設有間隙。
進一步,所述含硼聚乙烯屏蔽層與鎘層采用粘接連接。
進一步,所述鎘層與鉛層采用粘接連接。
進一步,所述罐體包括外壁和底蓋,所述外壁和底蓋形成密閉體。
進一步,所述罐體的兩側設有搬運環。
本實用新型的有益技術效果在于:
(1)本實用新型通過采用多層防護的方式,實現對中子以及在吸收中子的過程中產生的γ射線的屏蔽;防止中子輻射對職業工作人員和公眾產生輻射危害和損傷。
(2)本實用新型中子源防護罐,防護性能優、結構可靠;可適用于有溫差較大的環境,同時具有良好的物理性能和機械性能。
附圖說明
圖1是本實用新型中子源防護罐的結構示意圖。
圖中:
1-底蓋??2-外壁??3-搬運環??4-含硼聚乙烯層??5-鎘層
6-鉛層??7-盛裝容器
具體實施方式
下面結合附圖,對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細的描述。
如圖1所示,是本實用新型提供的中子源防護罐。該防護罐包括上端具有開口的罐體和盛裝容器7,該盛裝容器7的中上部通過罐體的開口插入罐體內,盛裝容器7內具有中子源。這里的盛裝容器7為不銹鋼管,選用不銹鋼的材質為0Cr18Ni10Ti,內表面易于清洗和去污。
為了對盛裝容器7內的中子進行慢化,盛裝容器7的底端和外圍均設有快中子慢化層。該快中子慢化層可采用含硼聚乙烯層4,即起到慢化的作用還能對慢化后產生的熱中子具有良好的吸收作用。當然,本實用新型的快中子慢化層不限于含硼聚乙烯層,只要對快中子具有慢化作用的覆蓋層均可。
為了對慢化后的熱中子更好的吸收,快中子慢化層的外圍設有熱中子吸收層。該熱中子吸收層采用鎘層5。當然,本實用新型不僅限于鎘層,只要對熱中子具有吸收作用的覆蓋層均可。
為了對吸收中子的過程中產生的γ射線進行屏蔽,熱中子吸收層的外圍設有γ射線屏蔽層。該γ射線屏蔽層采用鉛層6。當然,本實用新型不限于鉛層,只要對γ射線進行屏蔽的覆蓋層均可。
雖然鉛層對γ射線進行屏蔽的效果很好,但具有一定的毒性,所以整個屏蔽層外設有不銹鋼密閉包覆層,以保證緊固性和氣密性,以確保毒物不會進入周圍的環境中。其中,罐體包括外壁2和底蓋1,外壁2和底蓋1采用氬弧焊焊接成密閉體。在焊接時應注意焊接工藝,保證變形量滿足要求,此外在焊接過程中注意對屏蔽層的保護,避免因局部焊接溫度過高造成對屏蔽層的破壞。
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