[實(shí)用新型]一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420532334.9
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN204130535U
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 繆向水;錢航;童浩
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 廖盈春

1.一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器，包括多個垂直方向的三維NAND存儲串，其特征在于，每一個三維NAND存儲串包括：

水平襯底(100)、垂直于所述襯底(100)的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域(1)、分別位于所述半導(dǎo)體區(qū)域(1)上、下的第二電極(202)和第一電極(201)、包裹所述圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域(1)的隧穿電介質(zhì)(11)、圍繞隧穿電介質(zhì)(11)上、下分布了多個分立的電荷存儲層(9)、包裹了隧穿電介質(zhì)(11)以及多個電荷存儲層(9)的阻隔電介質(zhì)層(7)、以及最外圍與絕緣層(122)相堆疊的控制柵電極(121)；

所述圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域(1)包括多個存儲單元的源區(qū)、漏區(qū)以及溝道；均采用同一種材料填充；在源區(qū)與溝道之間不形成PN結(jié)，在漏區(qū)與溝道之間不形成PN結(jié)；

所述溝道區(qū)域?yàn)閳A柱形，且所述控制柵電極(121)圍繞所述溝道區(qū)域形成圍柵結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性三維半導(dǎo)體存儲器，其特征在于，所述圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域(1)的圓柱直徑為20nm～100nm。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性三維半導(dǎo)體存儲器，其特征在于，所述圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域(1)中源區(qū)、漏區(qū)以及溝道均采用硫系化合物材料制備。

4.如如權(quán)利要求3所述的非易失性三維半導(dǎo)體存儲器，其特征在于，所述硫系化合物材料包括Sb2Te3材料、GeTe材料、Bi2Te3材料、SnTe材料、Bi2Se3材料、GeSe材料、PbTe材料、SnSe材料。

5.如權(quán)利要求3所述的非易失性三維半導(dǎo)體存儲器，其特征在于，所述硫系化合物材料的本征載流子濃度為10¹⁸cm^-3-10²⁰cm^-3。