[實(shí)用新型]散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420516280.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204154666U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張榮斌;張徐林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 神訊電腦(昆山)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N25/20 | 分類號(hào): | G01N25/20 |
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| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 散熱 模塊 效果 測(cè)試 裝置 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型涉及散熱效果測(cè)試裝置,特別是涉及一種散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置。
【背景技術(shù)】
電子產(chǎn)品的元器件在工作時(shí)發(fā)熱,需要使用散熱模塊(Heat?sink?Assy)對(duì)其進(jìn)行散熱,所述散熱模塊通常會(huì)包括銅片、熱管及風(fēng)扇。而散熱模塊的散熱性能的好壞就會(huì)影響到電子元器件(例如CPU--中央處理器)是否能夠正常工作以及其壽命。這就需要對(duì)散熱模塊的散熱性能進(jìn)行測(cè)試,而對(duì)散熱模塊性能測(cè)試通常會(huì)測(cè)試其進(jìn)行散熱的熱源的熱阻值即Rja值。
之前的測(cè)試方式,是采用adapter本體作為代替CPU的模擬熱源,因其本體接觸面接過(guò)大,接觸材質(zhì)為塑料,功率和溫度不穩(wěn)等因素會(huì)導(dǎo)致誤差較大。
有鑒于此,實(shí)有必要開(kāi)發(fā)一種散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,以解決上述問(wèn)題。
【發(fā)明內(nèi)容】
因此,本實(shí)用新型的目的是提供一種散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,以解決散熱模塊散熱效果測(cè)試時(shí)測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確的問(wèn)題。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,包括:
基座,其上設(shè)有容置槽及設(shè)于所述容置槽外側(cè)的安裝孔;
模擬芯片,其放置于所述容置槽內(nèi),且該模擬芯片的上端與所述散熱模塊的接觸端貼合;
壓合塊,其與所述基座間壓合設(shè)有所述模擬芯片及所述散熱模塊的接觸端;
螺絲,所述壓合塊與所述基座間通過(guò)所述螺絲固定。
可選地,所述容置槽的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別對(duì)應(yīng)不同的模擬芯片的大小尺寸。
可選地,所述模擬芯片包括依序設(shè)立的銅合金塊層、硅晶片上層、軟質(zhì)導(dǎo)熱材上層、發(fā)熱電阻層、軟質(zhì)導(dǎo)熱材下層、硅晶片下層、亞克力板材層。
可選地,所述發(fā)熱電阻層還串接有一熱阻斷元件(thermal?breaker)。
可選地,所述發(fā)熱電阻層采用發(fā)熱電阻絲繞合而成。
可選地,所述發(fā)熱電阻絲兩端電壓值為12V。
可選地,所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲,截取0.41米的長(zhǎng)度繞合成規(guī)格為37.5mm*37.5mm的外框形狀或者截取0.57米的長(zhǎng)度繞合成規(guī)格為32mm*32mm的外框形狀。
可選地,所述發(fā)熱電阻層采用若干個(gè)發(fā)熱電阻并聯(lián)而成。
可選地,所述發(fā)熱電阻為10個(gè),各發(fā)熱電阻的阻值為500歐姆。
可選地,所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻兩端電壓值為42V或者35V。
相較于現(xiàn)有技術(shù),利用本實(shí)用新型的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,采用模擬芯片與散熱模塊的接觸端貼合,進(jìn)而測(cè)試其穩(wěn)定工作后,在模擬芯片的預(yù)設(shè)功率情況下,散熱模塊的散熱效果。由于采用模擬芯片更接近于芯片的結(jié)構(gòu)及散熱情況,同時(shí)該裝置的壓合結(jié)構(gòu)可以使得模擬芯片與散熱模塊的接觸端更貼合,從而可以達(dá)成對(duì)散熱模塊的散熱效果測(cè)試目的且測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確。
【附圖說(shuō)明】
圖1繪示為本實(shí)用新型散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的組裝結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2繪示為本實(shí)用新型散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3繪示為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中模擬芯片的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4繪示為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中發(fā)熱電阻層的第一實(shí)施方式結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5繪示為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中發(fā)熱電阻層的第二實(shí)施方式結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
請(qǐng)結(jié)合參閱圖1、圖2,圖1繪示為本實(shí)用新型散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的組裝結(jié)構(gòu)示意圖、圖2繪示為本實(shí)用新型散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,包括:
基座100,其上設(shè)有容置槽101及設(shè)于所述容置槽101外側(cè)的安裝孔102;
模擬芯片200,其放置于所述容置槽101內(nèi),且該模擬芯片200的上端與所述散熱模塊300的接觸端貼合,于本實(shí)施例,所述容置槽101的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別對(duì)應(yīng)放置不同大小尺寸的模擬芯片200;
壓合塊400,其與所述基座100間壓合設(shè)有所述模擬芯片200及所述散熱模塊300的接觸端;
螺絲500,所述壓合塊400與所述基座100間通過(guò)所述螺絲500固定。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3,圖3繪示為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中模擬芯片的分解結(jié)構(gòu)示意圖。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N25-00 應(yīng)用熱方法測(cè)試或分析材料
G01N25-02 .通過(guò)測(cè)試材料的狀態(tài)或相的變化;通過(guò)測(cè)試燒結(jié)
G01N25-14 .利用蒸餾、萃取、升華、冷凝、凍結(jié)或結(jié)晶
G01N25-16 .通過(guò)測(cè)試熱膨脹系數(shù)
G01N25-18 .通過(guò)測(cè)試熱傳導(dǎo)
G01N25-20 .通過(guò)測(cè)量熱的變化,即量熱法,例如通過(guò)測(cè)量比熱,測(cè)量熱導(dǎo)率
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