[實(shí)用新型]散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420516280.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204154666U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張榮斌;張徐林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 神訊電腦(昆山)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N25/20 | 分類號(hào): | G01N25/20 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 散熱 模塊 效果 測(cè)試 裝置 | ||
1.一種散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,其包括:
基座,其上設(shè)有容置槽及設(shè)于所述容置槽外側(cè)的安裝孔;
模擬芯片,其放置于所述容置槽內(nèi),且該模擬芯片的上端與所述散熱模塊的接觸端貼合;
壓合塊,其與所述基座間壓合設(shè)有所述模擬芯片及所述散熱模塊的接觸端;
螺絲,所述壓合塊與所述基座間通過(guò)所述螺絲固定。
2.如權(quán)利要求1所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述容置槽的個(gè)數(shù)為兩個(gè),分別對(duì)應(yīng)不同的模擬芯片的大小尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述模擬芯片包括依序設(shè)立的銅合金塊層、硅晶片上層、軟質(zhì)導(dǎo)熱材上層、發(fā)熱電阻層、軟質(zhì)導(dǎo)熱材下層、硅晶片下層、亞克力板材層。
4.如權(quán)利要求3所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻層還串接有一熱阻斷元件。
5.如權(quán)利要求3或4所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻層采用發(fā)熱電阻絲繞合而成。
6.如權(quán)利要求5所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻絲兩端電壓值為12V。
7.如權(quán)利要求6所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻絲是由每米10歐姆的電阻絲,截取0.41米的長(zhǎng)度繞合成規(guī)格為37.5mm*37.5mm的外框形狀或者截取0.57米的長(zhǎng)度繞合成規(guī)格為32mm*32mm的外框形狀。
8.如權(quán)利要求3或4所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻層采用若干個(gè)發(fā)熱電阻并聯(lián)而成。
9.如權(quán)利要求8所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述發(fā)熱電阻為10個(gè),各發(fā)熱電阻的阻值為500歐姆。
10.如權(quán)利要求9所述的散熱模塊的散熱效果測(cè)試裝置,其特征在于,所述并聯(lián)后的發(fā)熱電阻兩端電壓值為42V或者35V。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N25-00 應(yīng)用熱方法測(cè)試或分析材料
G01N25-02 .通過(guò)測(cè)試材料的狀態(tài)或相的變化;通過(guò)測(cè)試燒結(jié)
G01N25-14 .利用蒸餾、萃取、升華、冷凝、凍結(jié)或結(jié)晶
G01N25-16 .通過(guò)測(cè)試熱膨脹系數(shù)
G01N25-18 .通過(guò)測(cè)試熱傳導(dǎo)
G01N25-20 .通過(guò)測(cè)量熱的變化,即量熱法,例如通過(guò)測(cè)量比熱,測(cè)量熱導(dǎo)率
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