[實用新型]一種片式雙芯片肖特基二極管有效
| 申請號: | 201420510116.5 | 申請日: | 2014-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN204102894U | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 欒景花;馬新勇;劉立娟;馬麗梅;王興超;路尚偉;楊玉杰;高洋 | 申請(專利權)人: | 山東沂光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 276017 山東省臨*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 片式雙 芯片 肖特基 二極管 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體器件技術領域,特別是涉及一種二極管。?
背景技術
肖特基二極管是利用金屬和半導體之間接觸勢壘進行工作的一種多子型器件,是高頻和快速開關的理想器件,被廣泛應用于微波混頻、檢波及高速開關電路等領域。傳統的分離的兩個硅肖特基二極管器件在電路中占的體積較大,使其應用場合受到了極大限制。?
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術的不足,提供一種結構簡單、可以使片式器件小型化的雙芯片肖特基二極管。?
本實用新型一種片式雙芯片肖特基二極管,包括肖特基芯片、金絲和引線支架,所述肖特基芯片為兩個結構完全相同的芯片晶粒,所述金絲直徑為20μm、純度為99.99%,所述引線支架為鍍銀支架,所述芯片晶粒與引線支架通過金絲焊接連接。?
所述晶粒包括:其襯底及硅外延層構成的外延片、歐姆接觸電極、周邊圍有P+環的勢壘金屬硅化物、勢壘金屬硅化物上的金屬電極以及頂部鈍化層,所述歐姆接觸電極為鍍覆在襯底底面的金層,所述硅外延層厚度為1-10μm。?
所述金絲與鍍銀支架焊功能區焊接連接,焊接溫度為220-280℃,金絲與支架焊接點呈完整魚尾狀,焊點切斷處光滑無碎裂,焊線拉力大于3g。?
所述二極管的封裝方式為環氧樹脂封裝。所述環氧樹脂塑封后具有高介電性能、耐表面漏電、耐高溫、耐冷熱沖擊性能好,在高溫焊接時產生的熱應力較小。?
本實用新型的優點:把兩個肖特基二極管晶粒并聯封裝在一個管殼內,起到兩個肖特基二極管在電路中的作用,結構簡單,縮小了器件體積,大幅度降低成本,提高了效率。?
附圖說明
圖1為本實用新型片式雙芯片肖特基二極管的內部結構示意圖。?
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型作詳細說明:?
如圖所示,圖中:1、芯片晶粒;?2、金絲;?3、引線支架。
其2個肖特基二極管芯片晶粒通過直徑為20μm的金絲焊接在銀層厚度大于2.5μm的引線支架上,再用環氧樹脂塑封。?
以上所述的實施例,只是本實用新型較優選的具體實施方式之一,本領域的技術人員在本實用新型技術方案范圍內進行的通常變化和替換都應該包含在本實用新型的保護范圍之內。?
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