[實用新型]芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201420497771.1
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN204155919U
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 資重興
• 申請（專利權）人: 英屬維爾京群島商杰群科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L23/367
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;常大軍

技術領域

本實用新型涉及一種芯片封裝結構，尤其涉及一種運用于功率的離散式元件芯片(Power?Discrete?Device)的芯片封裝，主要是以鋁箔材質的連接片替代現有的金、銅、錫材質的連接片，同時在金屬連接片與芯片利用力與超音波方式接合的后，在該金屬連接片與芯片的接合處注有填充劑，以達到降低成本、封裝便利、提高散熱性及預防脫層為其主要實用新型要點與效能。

背景技術

傳統芯片封裝，如圖1所示，包括有一導線架1，該導線架1利用貼合劑2而于其上貼合有一芯片3，并于該芯片3的頂端(源極)焊設有一金屬連接片5，而該金屬連接片5的另一端則焊設于引腳4之上，藉此以達到電訊連接，隨后再將已組裝完成的芯片組進行封裝，其中，現有的金屬連接片5的工藝材質多為金、銅或錫等材質，而利用此材質所制成的金屬連接片由于都有其厚度，因此都需要事先依據芯片的型態進行事先塑形，以符合不同型態芯片的需求；換言之，就是該金屬連接片5屬于客制化的零件，若在型態上有所差異時，就容易造成封裝過程的困擾，另外，利用金、銅或錫等材質所制成的金屬連接片5，在要與芯片3的源極進行焊設時，必須先在芯片3的源極上先進行可焊錫處理的流程，以順利能將該金屬連接片5順利地焊設于芯片3上，再工藝上較為麻煩，再者，如圖1所示，該金屬連接片5在焊設于芯片3的源極上后再進行封裝的過程中，會有其空隙6的產生，時間一久便會有脫層的情況發生，當金屬連接片5與芯片3一旦產生脫層時，會造成電訊中斷或連接不佳，進而形成不良品，而為了有效解決這種種問題，乃實用新型出此一具有高散熱性、高穩定性、封裝便利及低成本的芯片封裝結構。

實用新型內容

本實用新型系有關于一種芯片封裝結構，尤指一種功率的離散式元件芯片(Power?Discrete?Device)的芯片封裝，主要是以鋁箔材質的連接片替代現有的金、銅、錫材質的連接片，并于金屬連接片與芯片的接合處注有填充劑，以達到降低成本、封裝便利、提高散熱性及預防脫層增強良率為其主要實用新型目的。

為達上述目的，本實用新型提供一種芯片封裝結構，其包括有：

一導線架，其上接設有芯片體；

一芯片體，上層設有源極端，該源極端供金屬連接片接合；

一金屬連接片，一端接設于芯片體的源極端，另一端則接設于引腳之上；

一填充劑，填塞于芯片體的源極端與金屬連接片接合的接合端角處，以避免脫層狀況的發生。

上述的芯片封裝結構，其中該導線架與芯片體利用貼合膠劑予以接合，且該貼合膠劑為錫膏。

上述的芯片封裝結構，其中該金屬連接片的材質為鋁箔。

上述的芯片封裝結構，其中該填充劑的材質為樹脂。

上述的芯片封裝結構，其中該金屬連接片與芯片體的源極端的接合方式是以力加超音波震蕩方式為之。

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。

附圖說明

圖1為現有芯片封裝結構的組合剖視示意圖；

圖2為本實用新型芯片封裝結構的組合剖視示意圖。

其中，附圖標記

現有技術

導線架1

貼合劑2

芯片3

引腳4

金屬連接片5

空隙6

本實用新型

導線架11

貼合膠劑12

芯片體13

源極端131

金屬連接片14

接合端角141

引腳15

填充劑16

封裝膠體17

芯片組體20

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的結構原理和工作原理作具體的描述：

請參閱圖2所示，本實用新型公開一芯片封裝結構，尤指一種運用于功率的離散式元件芯片(Power?Discrete?Device)，如金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)或絕緣閘雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態的芯片封裝，主要包括有一導線架11，其上設有一芯片體13，而該芯片體13是利用貼合膠劑12可被固設于導線架11之上，而該貼合膠劑12的材質一般是為錫膏，以保有電訊連接的暢通性；

一芯片體13，其上設有源極端131，可作為電訊導通之用，該芯片體13利用一金屬連接片14的接合，可以將芯片體13的電訊傳導至引腳15，其中，該金屬連接片14與芯片體13的接合方式是以力加超音波接合的方式完成，與現有焊合的技術不同；