[實用新型]一種新型發光二極管

有效

• 申請號: 201420474787.0
• 申請日: 2014-08-21
• 公開（公告）號: CN204029846U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 夏洪貴;趙國選
• 申請（專利權）人: 重慶市佳新美科技有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及半導體設計領域，尤其涉及一種新型發光二極管。

背景技術

半導體發光二極管(1ight—emittingdiode，LED)已在很多高效固態照明領域中得到廣泛的應用，例如全色彩屏幕顯示器、汽車用燈、背光源、交通信號燈、景觀及日常照明等。由于半導體折射率與空氣折射率差大，使出光面的出光錐體小，電極、襯底對光的吸收等原因造成A1GalnPLED的光提取效率很低。目前國內外的主要解決辦法包括：生長厚電流擴展層，生長DBR反射鏡，晶片鍵合技術制作GaP透明襯底，表面再構，光子晶體，晶體薄膜結構及全方位反射鏡等。

全方位反射鏡薄膜LED結構能有效解決上述問題.全方位反射鏡(omni.directionalreflector，ODR)，對從任何方向入射的光都具有高反射率，使LED具有高提取效率口。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種新型發光二極管。

本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種新型發光二極管，包括n電極，所述n電極設置在ITO層上，所述ITO層濺射在P-GaAs層上；所述P-GaAs層鍵合在Si支架上，所述Si支架非鍵合P-GaAs層面上設置有P電極；所述P-GaAs面外延生長SiO₂層，所述SiO₂層上腐蝕有導電孔；所述SiO₂層上濺射有AuZnAu層，所述AuZnAu層只在導電孔處與所述SiO₂形成P型歐姆接觸，所述AuZnAu層上濺射Au合金層；所述Au合金層在非導電孔處與SiO₂形成全方位反射鏡。

所述金屬Au合金層具有高發射率和提取效率，增強了發光二極管的光強。同時，AuZnAu層歐姆接觸只形成在SiO₂導電孔處，在非導電孔處，只有Au合金層形成反光鏡，這樣解決了AuZnAu層作為歐姆接觸金屬反射率低的問題。所述Si支架具有較好的散熱、導電性能，有利的提高發光二極管的整體性能。

在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。

進一步，所述n電極上表面形狀和結構截面成形，有效解決了電流擁擠問題，使得發光二極管電流擴展更好。

進一步，所述ITO層與SiO₂之間設置有n-(Al_0.7Gal_0.3)_0.5In_0.5P限制層，用于電流擴展，使ITO層表面粗化，形成納米結構；ITO層表面粗化抑制了發光二極管表面的光反射，增強了光的散射使一部分光逸出，另一部分光經全反光鏡(ODR)結構反射后可再一次出射；此限制層既提高了發光二極管的亮度，又使得之后生長的ITO層10和n-(Al_0.7Gal_0.3)_0.5In_0.5P限制層的接觸比較牢固。

本實用新型的有益效果是：結構簡單合理，構建的全方位反射鏡薄膜結構，有效的增強了發光二極管的光強和光功率。

附圖說明

圖1為本實用新型一種新型發光二極管結構示意圖；

圖2為本實用新型一種新型發光二極管n電極結構示意圖；

附圖中，各標號所代表的部件如下：1、AuZnAu層，2、Au合金層，3、Si支架，4、P電極，5、SiO₂層導電孔，6、SiO₂層，7、n-(Al_0.7Gal_0.3)_0.5In_0.5P限制層，8、P-GaAs層，9、n電極,10、ITO層，11、n電極結構。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。