[實用新型]一種新型發光二極管有效
| 申請號： | 201420474787.0 | 申請日： | 2014-08-21 |
| 公開（公告）號： | CN204029846U | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 夏洪貴;趙國選 | 申請（專利權）人： | 重慶市佳新美科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 402368 重慶市大足縣*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型發光二極管，其特征在于，包括n電極，所述n電極設置在ITO層上，所述ITO層濺射在P-GaAs層上；所述P-GaAs層鍵合在Si支架上，所述Si支架非鍵合P-GaAs層面上設置有P電極；所述P-GaAs面外延生長SiO2層，所述SiO2層上腐蝕有導電孔；所述SiO2層上濺射有AuZnAu層，所述AuZnAu層只在導電孔處與所述SiO2形成P型歐姆接觸，所述AuZnAu層上濺射Au合金層；所述Au合金層在非導電孔處與SiO2形成全方位反射鏡。
2.根據權利要求1所述一種新型發光二極管，其特征在于，所述n電極上表面形狀和結構截面成形。
3.?根據權利要求1所述一種新型發光二極管，其特征在于，所述ITO層與SiO2之間設置有n-(Al0.7Gal0.3)0.5In0.5P限制層。
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