[實用新型]有利于減少正面柵線數(shù)目的異質(zhì)結電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420451967.7
• 申請日: 2014-08-11
• 公開（公告）號: CN204029820U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 郭萬武;包健
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/075
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種有利于減少正面柵線數(shù)目的異質(zhì)結電池，它具有襯底(1)、正面本征非晶硅薄膜層(21)、摻雜層、透明導電薄膜層(61)和金屬柵線層(8)，正面本征非晶硅薄膜層(21)沉積在襯底(1)的正面上，摻雜層沉積在正面本征非晶硅薄膜層(21)的上表面上，透明導電薄膜層(61)沉積在摻雜層的上表面上，金屬柵線層(8)設置在透明導電薄膜層(61)的上表面上，其特征在于：所述的摻雜層包括呈交替橫向排列的重摻雜區(qū)域(4)和輕摻雜區(qū)域(5)，并且輕摻雜區(qū)域(5)的中部設置有發(fā)射極單元隔離層(7)。

2.根據(jù)權利要求1所述的有利于減少正面柵線數(shù)目的異質(zhì)結電池，其特征在于：它還具有背面本征非晶硅薄膜層(22)、背面場(3)、導電介質(zhì)層(62)和銀漿層(9)，背面本征非晶硅薄膜層(22)沉積在襯底(1)的背面上，背面場(3)沉積在背面本征非晶硅薄膜層(22)的下表面上，導電介質(zhì)層(62)沉積在背面場(3)的下表面上，銀漿層(9)設置在導電介質(zhì)層(62)的下表面上。

3.根據(jù)權利要求2所述的有利于減少正面柵線數(shù)目的異質(zhì)結電池，其特征在于：所述的背面場(3)為重摻雜硅基薄膜，其導電類型與襯底的導電類型相同。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的有利于減少正面柵線數(shù)目的異質(zhì)結電池，其特征在于：所述的重摻雜區(qū)域(4)和輕摻雜區(qū)域(5)的導電類型均與襯底(1)的導電類型相反。