[實用新型]一種發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420430020.8
• 申請日: 2014-07-31
• 公開（公告）號: CN204118107U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設計）人: 程素芬;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/44
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

技術領域

本實用新型涉及半導體器件領域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片。

背景技術

LED(Light?Emitting?Diode，發(fā)光二極管)是一種能夠將電能轉化為可見光的固態(tài)的半導體器件，是目前最優(yōu)前景的新一代光源，廣泛應用于人們的日常生活中。現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片為了提高發(fā)光亮度，一般會增大芯片的面積，提高注入電流，但如果其P、N電極設計稍有不平衡，這樣的發(fā)光二極管芯片就會產(chǎn)生電流的叢聚效應，從而降低其發(fā)光效率和可靠性。

現(xiàn)有技術中，提供了一種陣列式發(fā)光二極管芯片，該芯片包括襯底、依次層疊在襯底上的第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層和透明導電層以及凹槽，凹槽從透明導電層延伸至第一半導體層，凹槽內(nèi)設有隔離槽，隔離槽從第一半導體層延伸至襯底，使芯片形成多個相互隔離的子芯片，根據(jù)實際要求各子芯片可以適當?shù)拇?lián)或者并聯(lián)。隔離槽中填充有絕緣物質(zhì)，以形成絕緣層，在絕緣層上面平滑鋪設有將各個子芯片連接起來的電氣連接結構，從而使電流均勻擴展，避免了電流的叢聚效應。

在實現(xiàn)本實用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術至少存在以下問題：

現(xiàn)有技術中，只在隔離槽內(nèi)填充絕緣物，凹槽內(nèi)的發(fā)光層側壁直接裸露，使芯片容易受到靜電和灰塵等污染物的影響，或者也可以在凹槽、電氣連接結構和透明導電層外制作一層鈍化層，但單獨設置鈍化層又增加了該芯片的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術中的上述問題，本實用新型實施例提供了一種發(fā)光二極管芯片。所述技術方案如下：

本實用新型實施例提供了一種發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括襯底，依次層疊在所述襯底上的第一半導體層、發(fā)光層、第二半導體層和透明導電層，所述芯片上設有凹槽，所述凹槽從所述透明導電層延伸至所述第一半導體層，所述凹槽內(nèi)設有將所述芯片分割成多個子芯片的隔離槽，所述隔離槽從所述第一半導體層延伸至所述襯底，所述芯片上還設有一個第一電極、一個第二電極和多個電氣連接結構，所述第一電極設于所述透明導電層上，所述第二電極設于所述凹槽的第一半導體層上，所述芯片還包括透明絕緣層，所述透明絕緣層的厚度為100～1000nm，所述透明絕緣層至少覆蓋所述凹槽的側壁和所述隔離槽，而露出所述第一電極、所述第二電極和所述電氣連接結構的設置處；

所述電氣連接結構鋪設于位于所述隔離槽內(nèi)的所述透明絕緣層之上，且所述電氣連接結構將一個所述子芯片的透明導電層與另一個所述子芯片的第一半導體層連接。

優(yōu)選地，所述透明絕緣層覆蓋所述凹槽的側壁、所述隔離槽和所述透明導電層的表面上，除設置所述第一電極、所述第二電極和所述電氣連接結構的區(qū)域以外的部分。

進一步地，所述透明絕緣層的厚度為240nm。

可選地，所述透明絕緣層為二氧化硅絕緣層或氮化硅絕緣層或氮氧化硅絕緣層。

可選地，所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為15度～75度。

優(yōu)選地，所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為45°。

可選地，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為15°～75°。

優(yōu)選地，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為45°。

優(yōu)選地，每個所述子芯片的發(fā)光區(qū)面積相同。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

通過將透明絕緣層覆蓋到凹槽的側壁、隔離槽內(nèi)和透明導電層的表面上，或者將絕緣層覆蓋到凹槽的側壁和隔離槽內(nèi)，可以一定程度上隔絕靜電和污染，且不用額外制作鈍化層，減少了制作成本，絕緣層采用透明絕緣層，有利于芯片正面出光，使發(fā)光二極管的亮度得到了提升。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例一提供的一種發(fā)光二極管的主視圖；

圖2是本實用新型實施例提供的凹槽和隔離槽的主視圖；

圖3是圖1中的透明絕緣層的覆蓋范圍的主視圖；

圖4是本實用新型實施例二提供的一種發(fā)光二極管的主視圖；

圖5是圖4中的透明絕緣層的覆蓋范圍的主視圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。

實施例一