[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420430020.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204118107U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程素芬;王江波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02;H01L33/44
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括襯底，依次層疊在所述襯底上的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層，所述芯片上設(shè)有凹槽，所述凹槽從所述透明導(dǎo)電層延伸至所述第一半導(dǎo)體層，所述凹槽內(nèi)設(shè)有將所述芯片分割成多個(gè)子芯片的隔離槽，所述隔離槽從所述第一半導(dǎo)體層延伸至所述襯底，所述芯片上還設(shè)有一個(gè)第一電極、一個(gè)第二電極和多個(gè)電氣連接結(jié)構(gòu)，所述第一電極設(shè)于所述透明導(dǎo)電層上，所述第二電極設(shè)于所述凹槽的第一半導(dǎo)體層上，其特征在于，

所述芯片還包括透明絕緣層，所述透明絕緣層的厚度為100～1000nm，所述透明絕緣層至少覆蓋所述凹槽的側(cè)壁和所述隔離槽，而露出所述第一電極、所述第二電極和所述電氣連接結(jié)構(gòu)的設(shè)置處；

所述電氣連接結(jié)構(gòu)鋪設(shè)于位于所述隔離槽內(nèi)的所述透明絕緣層之上，且所述電氣連接結(jié)構(gòu)將一個(gè)所述子芯片的透明導(dǎo)電層與另一個(gè)所述子芯片的第一半導(dǎo)體層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明絕緣層覆蓋所述凹槽的側(cè)壁、所述隔離槽和所述透明導(dǎo)電層的表面上，除設(shè)置所述第一電極、所述第二電極和所述電氣連接結(jié)構(gòu)的區(qū)域以外的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明絕緣層的厚度為240nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明絕緣層為二氧化硅絕緣層、氮化硅絕緣層或氮氧化硅絕緣層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁與所述第一半導(dǎo)體層的頂面之間的銳角為15°～75°。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的芯片，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁與所述第一半導(dǎo)體層的頂面之間的銳角為45°。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述隔離槽的側(cè)壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為15°～75°。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，所述隔離槽的側(cè)壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為45°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，每個(gè)所述子芯片的發(fā)光區(qū)面積相同。