[實(shí)用新型]一種濕法刻蝕機(jī)及其刻蝕槽有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420420427.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203967049U | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳成新;李建朋;李永洋;王海濤;王月超;梁楠楠;康瑩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 301510 天津市濱海新區(qū)津漢公*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 及其 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種濕法刻蝕機(jī)及其刻蝕槽。
背景技術(shù)
光伏組件利用玻璃板、背板和EVA封裝電池片,電池片由硅片制成,是光伏組件的核心部件。
硅片由硅錠切割而成,然后經(jīng)過表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)、刻蝕、沉積減反射膜、印刷燒結(jié)等工藝制成電池片。其中,刻蝕是電池片制造過程中的一個(gè)重要工序,目的是去除硅片下表面及四個(gè)側(cè)面的PN結(jié),以達(dá)到上下表面絕緣的目的,同時(shí)去除下表面及四個(gè)側(cè)面的磷硅玻璃層。
常用的刻蝕方法是濕法刻蝕,通過化學(xué)試劑腐蝕掉硅片下表面及四個(gè)側(cè)面的PN結(jié)及磷硅玻璃層。請(qǐng)參考圖1和圖2,圖1為一種典型的濕法刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2為圖1中所述的濕法刻蝕機(jī)中刻蝕槽的具體結(jié)構(gòu)示意圖。
刻蝕槽1與清洗槽2相鄰,兩者上方分別設(shè)有蓋板3和蓋板4,刻蝕槽1下方設(shè)有儲(chǔ)液罐5,儲(chǔ)液罐5與刻蝕槽1之間設(shè)有注液管道6和用于藥液回流的回流管道7,儲(chǔ)液罐5內(nèi)設(shè)有熱交換器9,熱交換器9可以使儲(chǔ)液罐5中的藥液降溫至設(shè)定的溫度。清洗槽2的下方設(shè)有儲(chǔ)水罐10,儲(chǔ)水罐10與清洗槽2之間設(shè)有用于注水的注水管道11和用于回流的回水管道12。
如圖2所示,刻蝕槽1內(nèi)均勻分布多根滾輪101,各滾輪101相互平行,硅片在滾輪101上通過刻蝕槽1,通過時(shí)硅片背面接觸藥液,實(shí)現(xiàn)刻蝕,然后進(jìn)入清洗槽2清洗。刻蝕槽1通常分為三部分,中間為工藝槽102,兩端為溢流槽103,工藝槽102底部設(shè)有注液管道6,溢流槽103底部分別設(shè)有回流管道7。
刻蝕過程中,需要工藝槽102內(nèi)始終注滿藥液。藥液通過注液管道6源源不斷的注入工藝槽102,隨著工藝槽102內(nèi)液位的上升,藥液溢流到兩邊的溢流槽103內(nèi),并通過溢流槽103底部的回流管道7流回儲(chǔ)液罐5,保障了工藝槽102內(nèi)不斷有新鮮的藥液補(bǔ)入,同時(shí)維持了工藝槽102內(nèi)液位的高度。
刻蝕過程中使用的藥液的揮發(fā)性較強(qiáng),整個(gè)過程中,工藝槽102內(nèi)始終注滿藥液,藥液揮發(fā)較多,浪費(fèi)的藥液較多。目前,一種節(jié)省藥液的方式是,將藥液的濃度調(diào)節(jié)至最低臨界點(diǎn),這樣雖然可以節(jié)省部分藥液,但是隨著工藝的進(jìn)行,藥液的濃度會(huì)逐漸降低,滿足不了工藝需求,會(huì)出現(xiàn)因藥液濃度較低引起的不合格產(chǎn)品。
因此,如何在不改變藥液濃度的情況下節(jié)省藥液,是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前急需解決的技術(shù)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種濕法刻蝕機(jī)的刻蝕槽,該刻蝕槽能夠在不改變藥液濃度的情況下節(jié)省藥液。本實(shí)用新型的另一個(gè)目的是提供一種具有上述刻蝕槽的濕法刻蝕機(jī)。
為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,本實(shí)用新型提供了一種濕法刻蝕機(jī)的刻蝕槽,包括工藝槽和溢流槽,所述工藝槽底部設(shè)有注液管道,所述溢流槽底部設(shè)有回流管道;所述刻蝕槽內(nèi)分布多根滾輪,各所述滾輪平行;所述工藝槽的數(shù)量為至少兩個(gè),各所述工藝槽之間設(shè)置至少一個(gè)所述溢流槽,所述刻蝕槽的兩端分別為所述溢流槽。
優(yōu)選地,各所述工藝槽之間設(shè)置一個(gè)所述溢流槽。
優(yōu)選地,所述工藝槽的寬度大于所述溢流槽的寬度。
優(yōu)選地,各所述工藝槽的寬度相等。
優(yōu)選地,各所述溢流槽的寬度相等。
本實(shí)用新型還提供了一種濕法刻蝕機(jī),包括刻蝕槽和儲(chǔ)液罐,所述刻蝕槽和所述儲(chǔ)液罐之間設(shè)有注液管道和回流管道,所述刻蝕槽為上述任一項(xiàng)所述的刻蝕槽。
本實(shí)用新型提供的濕法刻蝕機(jī)的刻蝕槽,包括工藝槽和溢流槽,工藝槽底部設(shè)有注液管道,溢流槽底部設(shè)有回流管道;刻蝕槽內(nèi)分布多根滾輪,各滾輪平行;工藝槽的數(shù)量為至少兩個(gè),各工藝槽之間設(shè)置至少一個(gè)溢流槽,刻蝕槽的兩端分別為溢流槽。
每個(gè)工藝槽兩端均設(shè)有溢流槽,刻蝕過程中,藥液通過注液管道源源不斷的注入工藝槽,注滿后藥液溢流到兩端的溢流槽,通過回流管道回流。硅片在滾輪上通過刻蝕槽時(shí),將交替的通過溢流槽和工藝槽,硅片經(jīng)過工藝槽時(shí),硅片接觸藥液進(jìn)行刻蝕反應(yīng);硅片脫離工藝槽經(jīng)過溢流槽時(shí),硅片上會(huì)沾有部分藥液,能夠繼續(xù)與所沾的藥液反應(yīng),然后硅片將經(jīng)過下一個(gè)工藝槽,重復(fù)上述過程。硅片通過刻蝕槽時(shí),一直不間斷的與藥液反應(yīng),不會(huì)影響刻蝕的產(chǎn)品質(zhì)量。刻蝕槽內(nèi)的工藝槽與溢流槽間隔分布,與現(xiàn)有技術(shù)相比,減少了需要注滿藥液的體積,需要的藥液較少,同時(shí)也減少了藥液的揮發(fā)。該刻蝕槽可以在不改變藥液濃度,不影響產(chǎn)品質(zhì)量的前提下,降低藥液的消耗,提高藥液的利用率,從而降低產(chǎn)品的成本。
本實(shí)用新型還提供了一種濕法刻蝕機(jī),具有上述刻蝕槽,由于刻蝕槽具有上述技術(shù)效果,故該濕法刻蝕機(jī)也具有相應(yīng)的技術(shù)效果。
附圖說明
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津英利新能源有限公司,未經(jīng)天津英利新能源有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420420427.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





