[實用新型]一種濕法刻蝕機及其刻蝕槽有效
| 申請號: | 201420420427.2 | 申請日: | 2014-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN203967049U | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發明(設計)人: | 吳成新;李建朋;李永洋;王海濤;王月超;梁楠楠;康瑩 | 申請(專利權)人: | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 301510 天津市濱海新區津漢公*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 及其 | ||
1.一種濕法刻蝕機的刻蝕槽,包括工藝槽(102)和溢流槽(103),所述工藝槽(102)底部設有注液管道(6),所述溢流槽(103)底部設有回流管道(7);其特征在于,所述工藝槽(102)的數量為至少兩個,各所述工藝槽(102)之間設置至少一個所述溢流槽(103),所述刻蝕槽(1)的兩端分別為所述溢流槽(103)。
2.如權利要求1所述的濕法刻蝕機的刻蝕槽,其特征在于,各所述工藝槽(102)之間設置一個所述溢流槽(103)。
3.如權利要求2所述的濕法刻蝕機的刻蝕槽,其特征在于,所述工藝槽(102)的寬度大于所述溢流槽(103)的寬度。
4.如權利要求3所述的濕法刻蝕機的刻蝕槽,其特征在于,各所述工藝槽(102)的寬度相等。
5.如權利要求4所述的濕法刻蝕機的刻蝕槽,其特征在于,各所述溢流槽(103)的寬度相等。
6.一種濕法刻蝕機,包括刻蝕槽(1)和儲液罐(5),所述刻蝕槽(1)和所述儲液罐(5)之間設有注液管道(6)和回流管道(7),其特征在于,所述刻蝕槽(1)為權利要求1至5任一項所述的刻蝕槽(1)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





