[實用新型]一種高頻率的石英晶體諧振器

有效

• 申請號: 201420418698.4
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN204031094U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 杜自甫
• 申請（專利權）人: 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

技術領域

本實用新型涉及石英晶體諧振器技術領域，具體涉及一種高頻率的石英晶體諧振器。

背景技術

在石英晶體諧振器的制造工藝中，需要對石英晶片的鍍膜面進行刻蝕，以達到頻率更精確的作用,?刻蝕面的大小沒有確定，對于高頻FDLD參數將造成大量不良、溫度測試異常的現象。現有技術中，刻蝕面的大小都是超出鍍膜面，導致高頻FDLD參數影響很大、溫度測試異常，使得產品品質不穩定。

因此，針對現有技術中存在的問題，亟需提供一種對高頻率產品的FDLD參數影響小，并且可提高產品品質穩定性的石英晶體諧振器。

發明內容

為了克服現有技術中存在的缺點和不足，本實用新型的目的在于提供一種高頻率的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器對于高頻率FDLD參數的改良較大，溫度測試無異常，并且可提高產品品質穩定性。

本實用新型的目的通過下述技術方案實現：一種高頻率的石英晶體諧振器，包括晶片本體，晶片本體的上表面設置有上鍍膜層，上鍍膜層中部開設有刻蝕層，刻蝕層的長邊與上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。

其中，所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.35mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.30mm。

其中，所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.40mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.35mm。

其中，所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.30mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.25mm。

其中，所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.25mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.20mm。

其中，所述晶片本體的側面、下表面分別設置有側面鍍膜層、下鍍膜層。

其中，所述上鍍膜層、側面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。

其中，所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。

其中，所述鍍鉻層的厚度為40~50埃。

其中，所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型由于在刻蝕層尺寸小于上鍍膜層的尺寸，刻蝕掉中間一部分鍍膜材料，因此對高頻率FDLD參數影響小，并且可提高產品品質穩定性。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例一的結構示意圖。

圖2是本實用新型實施例一所述晶片本體的剖視圖。

圖3是本實用新型實施例二所述晶片本體的主視圖。

圖4是本實用新型實施例二所述晶片本體的俯視圖。

圖5是本實用新型實施例二所述晶片本體的右視圖。

附圖標記為：1—晶片本體、11—上鍍膜層、111—刻蝕層、12—側面鍍膜層、13—下鍍膜層、14—鍍鉻層。

具體實施方式

為了便于本領域技術人員的理解，下層結合實施例及附圖1-5對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內容并非對本實用新型的限定。

如圖1-2所示為本實用新型所述一種高頻率的石英晶體諧振器的實施例一，包括晶片本體1，晶片本體1的上表面設置有上鍍膜層11，上鍍膜層11中部開設有刻蝕層111，刻蝕層111的長邊與上鍍膜層11的長邊之間的距離C為0.25-0.40mm，刻蝕層111的短邊與上鍍膜層11的短邊之間的距離D為0.20-0.35mm。

對鍍于晶片上表面的上鍍膜層11進行刻蝕處理，鍍膜層進行刻蝕時，可以采用氬離子刻蝕，結合產品的生產成本、生產效率，可采用四次刻蝕的方式，前兩次氫離子的速率相同，后兩次速率依次降低，利用這種方式可以使鍍膜層的致密性比較好，不會稀疏，從而能夠降低產品的年老化率。

本實用新型由于在刻蝕層111尺寸小于上鍍膜層11的尺寸，刻蝕掉中間一部分鍍膜材料，因此對高頻率FDLD參數影響小，并且可提高產品品質穩定性。

本實施例中，所述刻蝕層111的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離C為0.25-0.35mm，刻蝕層111的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離D為0.20-0.30mm。該范圍內的晶片本體1對高頻率FDLD參數影響小，并且可提高產品品質穩定性。