[實用新型]一種高頻率的石英晶體諧振器有效
| 申請號： | 201420418698.4 | 申請日： | 2014-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN204031094U | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 杜自甫 | 申請（專利權）人： | 廣東惠倫晶體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/19 | 分類號： | H03H9/19;H03H9/02 |
| 代理公司： | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 523750 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 頻率 石英 晶體 諧振器 | ||
1.一種高頻率的石英晶體諧振器，包括晶片本體，其特征在于：晶片本體的上表面設置有上鍍膜層，上鍍膜層中部開設有刻蝕層，刻蝕層的長邊與上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。
2.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.35mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.30mm。
3.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.40mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.35mm。
4.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.30mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.25mm。
5.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述刻蝕層的長邊與所述鍍膜層的長邊之間的距離為0.25mm，刻蝕層的短邊與鍍膜層的短邊之間的距離為0.20mm。
6.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述晶片本體的側面、下表面分別設置有側面鍍膜層、下鍍膜層。
7.根據權利要求6所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述上鍍膜層、側面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。
8.根據權利要求7所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。
9.根據權利要求8所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍鉻層的厚度為40~50埃。
10.根據權利要求1所述的一種高頻率的石英晶體諧振器，其特征在于：所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。
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