[實(shí)用新型]一種結(jié)構(gòu)改良的石英晶體諧振器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420418105.4
• 申請(qǐng)日: 2014-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204031092U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐振桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/19
• 分類號(hào): H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種結(jié)構(gòu)改良的石英晶體諧振器。

背景技術(shù)

石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元件，隨著科技的發(fā)展和生活水平的提高，人們對(duì)電子產(chǎn)品不斷追求質(zhì)量輕、體積小、外觀美等優(yōu)點(diǎn)的產(chǎn)品。而石英晶體諧振器的壓電效應(yīng)能夠?yàn)殡娮赢a(chǎn)品提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。為滿足現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)要求，石英晶體諧振器自身體積也不斷縮小，才能與智能化的電子產(chǎn)品完美結(jié)合。石英晶體諧振器在智能電子領(lǐng)域的作用如：1.手機(jī)的通話、攝像、衛(wèi)星定位等功能；2.汽車的引擎控制；3.電子手表的計(jì)時(shí)功能等。從中體現(xiàn)出晶體扮演著不可缺少的重要角色。

在石英晶體諧振器的制造工藝中，對(duì)于不同頻點(diǎn)產(chǎn)品晶片厚度要求不一樣，頻率越高設(shè)計(jì)晶片厚度越薄。為使晶片更好結(jié)合不易掉落，現(xiàn)工藝要求為底膠+晶片+面膠→高溫固化。當(dāng)基座內(nèi)腔高度較低時(shí)，面膠易高出基座，會(huì)出現(xiàn)微調(diào)不調(diào)，壓封后面膠與LID接觸造成絕緣不良。經(jīng)計(jì)算，面膠高度不得超出34.7μm。現(xiàn)有技術(shù)中，為保證面膠不超過(guò)基座高度，則需降低針頭，會(huì)出現(xiàn)壓碎晶片、針頭粘晶片和堵膠等現(xiàn)象，晶片搭載高度往下壓易造成碎片。

因此，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，亟需提供一種解決方式，提高，并且對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定性無(wú)影響，滿足客戶使用要求。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)改良的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器可大幅減少絕緣不良，生產(chǎn)效益高、生產(chǎn)成本低。

本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種結(jié)構(gòu)改良的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠，晶片本體的底部分別通過(guò)第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與第一涂覆區(qū)域的頂部、第二涂覆區(qū)域的頂部粘接。

其中，所述第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠的外徑均為0.17-0.21mm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠的中心與所述第一涂覆區(qū)域的頂邊之間的距離、所述第二導(dǎo)電膠的中心與所述第二涂覆區(qū)域的頂邊之間的距離均為0.08-0.12mm。

其中，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為15-35μm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠均為硅酮類導(dǎo)電粘合劑制成的第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠。

其中，所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。

其中，所述鍍銀層與所述晶片本體之間設(shè)置有鍍鉻層。

其中，所述鍍鉻層的厚度為40-50埃。

其中，所述上鍍膜層中部開(kāi)設(shè)有刻蝕層，刻蝕層的長(zhǎng)邊與所述上鍍膜層的長(zhǎng)邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。

其中，所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長(zhǎng)度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。

本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型先在第一涂覆區(qū)域的頂部、第二涂覆區(qū)域分別點(diǎn)上第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠，然后將晶片本體放入基座內(nèi)，使第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與晶片本體接觸，不在晶片本體的上方再次點(diǎn)膠，減少膠的使用成本。本實(shí)用新型的石英晶體諧振器可大幅減少絕緣不良率52.6%以上，生產(chǎn)效益高、生產(chǎn)成本低。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一所述晶片本體的剖視圖。

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的俯視圖。

圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的主視圖。

圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例三所述晶片本體的右視圖。

附圖標(biāo)記為：1—晶片本體、2—基座、11—上鍍膜層、111—刻蝕層、12—側(cè)面鍍膜層、13—下鍍膜層、14—鍍鉻層、141—第一導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域、142—第二導(dǎo)電膠涂覆區(qū)域、151—第一導(dǎo)電膠、152—第二導(dǎo)電膠。

具體實(shí)施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖1-7對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本實(shí)用新型的限定。