[實用新型]一種結構改良的石英晶體諧振器

有效

• 申請號: 201420418105.4
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN204031092U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 唐振桓
• 申請（專利權）人: 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

1.一種結構改良的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內的晶片本體，晶片本體的上表面、側面以及下表面分別設置有上鍍膜層、側面鍍膜層和下鍍膜層，其特征在于：基座內設置有第一涂覆區域和第二涂覆區域，第一涂覆區域設置有第一導電膠，第二涂覆區域設置有第二導電膠，晶片本體的底部分別通過第一導電膠、第二導電膠與第一涂覆區域的頂部、第二涂覆區域的頂部粘接。

2.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠、第二導電膠的外徑均為0.17-0.21mm。

3.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠的中心與所述第一涂覆區域的頂邊之間的距離、所述第二導電膠的中心與所述第二涂覆區域的頂邊之間的距離均為0.08-0.12mm。

4.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為15-35μm。

5.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠和所述第二導電膠均為硅酮類導電粘合劑制成的第一導電膠和第二導電膠。

6.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述上鍍膜層、側面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。

7.根據權利要求6所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。

8.根據權利要求7所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍鉻層的厚度為40-50埃。

9.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述上鍍膜層中部開設有刻蝕層，刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。

10.根據權利要求1所述的一種結構改良的石英晶體諧振器，其特征在于：所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。