[實用新型]一種低阻抗的石英晶體諧振器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420417739.8
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN204031090U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐振桓
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種低阻抗的石英晶體諧振器。

背景技術(shù)

石英晶體諧振器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)而制成的諧振元件，隨著科技的發(fā)展和生活水平的提高，人們對電子產(chǎn)品不斷追求質(zhì)量輕、體積小、外觀美等優(yōu)點的產(chǎn)品。而石英晶體諧振器的壓電效應(yīng)能夠為電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定的時鐘信號。為滿足現(xiàn)工業(yè)生產(chǎn)要求，石英晶體諧振器自身體積也不斷縮小，才能與智能化的電子產(chǎn)品完美結(jié)合。石英晶體諧振器在智能電子領(lǐng)域的作用如：1.手機的通話、攝像、衛(wèi)星定位等功能；2.汽車的引擎控制；3.電子手表的計時功能等。從中體現(xiàn)出晶體扮演著不可缺少的重要角色。

為滿足石英晶體諧振器能正常穩(wěn)定起振，對于各項電學(xué)參數(shù)要求特別高，如阻抗。現(xiàn)有的小型石英晶體諧振器的阻抗偏大，阻抗不良品高，生產(chǎn)效益低。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點和不足，本實用新型的目的在于提供一種低阻抗的石英晶體諧振器，該石英晶體諧振器的阻抗不良品低，生產(chǎn)效益高。

本實用新型的目的通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：一種低阻抗的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內(nèi)的晶片本體，晶片本體的上表面、側(cè)面以及下表面分別設(shè)置有上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層和下鍍膜層，基座內(nèi)設(shè)置有第一涂覆區(qū)域和第二涂覆區(qū)域，第一涂覆區(qū)域設(shè)置有第一導(dǎo)電膠，第二涂覆區(qū)域設(shè)置有第二導(dǎo)電膠，晶片本體分別通過第一導(dǎo)電膠、第二導(dǎo)電膠與基座粘接固定，第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均為40-60μm，晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為10-30μm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40-50μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20-30μm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為50μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為30μm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為45μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為25μm。

其中，所述第一導(dǎo)電膠和所述第二導(dǎo)電膠的高度均為40μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離為20μm。

其中，所述上鍍膜層、側(cè)面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。

其中，所述鍍銀層與所述晶片本體之間設(shè)置有鍍鉻層。

其中，所述鍍鉻層的厚度為40~50埃。

其中，所述上鍍膜層中部開設(shè)有刻蝕層，刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。

其中，所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。

本實用新型的有益效果在于：本實用新型通過將第一導(dǎo)電膠和第二導(dǎo)電膠的高度均設(shè)置為40-60μm，晶片本體的底面與第一涂覆區(qū)域、第二涂覆區(qū)域的頂面之間的距離設(shè)置為10-30μm，能降低晶片本體的阻抗，減少阻抗不良品，提高生產(chǎn)效益；可大幅度減少阻抗不良4.61%以上，與同一工單的阻抗均值比較，改善后可下降4.3Ω。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型實施例一的局部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實用新型實施例一所述晶片本體的剖視圖。

圖4是本實用新型實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本實用新型實施例三所述晶片本體的俯視圖。

圖6是本實用新型實施例三所述晶片本體的主視圖。

圖7是本實用新型實施例三所述晶片本體的右視圖。

附圖標(biāo)記為：1—晶片本體、2—基座、11—上鍍膜層、111—刻蝕層、12—側(cè)面鍍膜層、13—下鍍膜層、14—鍍鉻層、141—第一涂覆區(qū)域、142—第二涂覆區(qū)域、151—第一導(dǎo)電膠、152—第二導(dǎo)電膠。

具體實施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實施例及附圖1-7對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內(nèi)容并非對本實用新型的限定。