[實用新型]一種低阻抗的石英晶體諧振器

有效

• 申請號: 201420417739.8
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN204031090U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 唐振桓
• 申請（專利權）人: 廣東惠倫晶體科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/19
• 分類號: H03H9/19;H03H9/02
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 李玉平

1.一種低阻抗的石英晶體諧振器，包括基座和固定于基座內的晶片本體，晶片本體的上表面、側面以及下表面分別設置有上鍍膜層、側面鍍膜層和下鍍膜層，其特征在于：基座內設置有第一涂覆區域和第二涂覆區域，第一涂覆區域設置有第一導電膠，第二涂覆區域設置有第二導電膠，晶片本體分別通過第一導電膠、第二導電膠與基座粘接固定，第一導電膠和第二導電膠的高度均為40-60μm，晶片本體的底面與第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為10-30μm。

2.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為40-50μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為20-30μm。

3.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為50μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為30μm。

4.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為45μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為25μm。

5.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述第一導電膠和所述第二導電膠的高度均為40μm，所述晶片本體的底面與所述第一涂覆區域、第二涂覆區域的頂面之間的距離為20μm。

6.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述上鍍膜層、側面鍍膜層、下鍍膜層均為鍍銀層，鍍銀層的厚度為3500-4500埃。

7.根據權利要求6所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍銀層與所述晶片本體之間設置有鍍鉻層。

8.根據權利要求7所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述鍍鉻層的厚度為40~50埃。

9.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述上鍍膜層中部開設有刻蝕層，刻蝕層的長邊與所述上鍍膜層的長邊之間的距離為0.25-0.40mm，刻蝕層的短邊與上鍍膜層的短邊之間的距離為0.20-0.35mm。

10.根據權利要求1所述的一種低阻抗的石英晶體諧振器，其特征在于：所述晶片本體呈雙凸形，晶片本體的長度為1.1-1.0mm，寬度為0.8-0.65mm。