[實(shí)用新型]通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420416470.1
• 申請(qǐng)日: 2014-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204067423U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許海鵬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市新光臺(tái)電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/64;H01L33/60
• 代理公司: 東莞市神州眾達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44251
• 代理人: 皮發(fā)泉

1.一種通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括底層成型體、頂層封裝體、LED晶片、正極金線(xiàn)、負(fù)極金線(xiàn)、正極焊層、負(fù)極焊層和銅柱，所述LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，所述LED晶片通過(guò)正極金線(xiàn)電連接正極焊層，且該LED晶片通過(guò)負(fù)極金線(xiàn)電連接負(fù)極焊層；所述頂層封裝體與底層成型體連接后將LED晶片封裝在內(nèi)，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；所述底層成形體內(nèi)部中空出一通孔，所述銅柱置于該通孔中，且LED晶片與該銅柱熱接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹(shù)脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有SiO2增透薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹(shù)脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)，所述頂層封裝體的表面設(shè)有SiO2增透薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹(shù)脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有SiO2增透薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通孔銅柱直通散熱LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹(shù)脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，所述底層成型體和頂層封裝體表面均設(shè)有SiO2增透薄膜。