[實用新型]一種雙面發光的LED芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201420416186.4
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN204011483U
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 胡溢文
• 申請（專利權）人: 胡溢文
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京連城創新知識產權代理有限公司 11254
• 代理人: 劉伍堂

技術領域

本實用新型涉及LED封裝技術領域，具體地說是一種雙面發光的LED芯片封裝結構。

背景技術

目前，常見的LED燈絲內部的芯片有兩種，一種是正裝芯片，另一種是倒裝芯片。正裝芯片電極在上方，從上至下材料為：P電極，發光層，N電極，襯底。正裝芯片大多是單面發光的，發光效率較低。正裝芯片一般采用膠水固定，正裝芯片之間采用連接線相互連接，正裝芯片是最早出現的芯片結構，正裝芯片的電極擠占發光面積，從而進一步影響了發光效率。

為了提高芯片的發光效率，技術人員研發了倒裝芯片。倒裝芯片的襯底被剝去,芯片材料是透明的，使發光層激發出的光直接從電極的另一面發出。倒裝芯片雖然在發光效率上存在優勢，但倒裝芯片的價格較高，制備LED燈絲的工藝也更復雜，造成生產成本的大幅上升。

因此，需要設計一種能夠提高發光效率且成本較低的種雙面發光的LED芯片封裝結構。

發明內容

本實用新型的目的是克服現有技術的不足，提供了一種能夠提高發光效率且成本較低的種雙面發光的LED芯片封裝結構。

為了達到上述目的，本實用新型設計了一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于：芯片包括P電極、P極電流擴散層、P氮化鎵P-Gan、N電極、N極電流擴散層、N氮化鎵N-Gan和藍寶石襯底，藍寶石襯底的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan，N氮化鎵N-Gan的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan，P氮化鎵P-Gan的上表面貼附有P極電流擴散層，P極電流擴散層的上表面貼附有P電極，N氮化鎵N-Gan的上表面另一端貼附有N極電流擴散層，N極電流擴散層的上表面貼附有N電極。

所述的芯片的P電極和N電極表面設有錫球，芯片倒置并與基板表面的印刷電路固定，芯片與印刷電路之間采用助焊劑焊接錫球固定，基板和芯片的表面、基板的底面分別涂覆有熒光膠。

所述的基板為非透明基板。

所述的P電極為金錫合金或錫凸點。

所述的N電極為金錫合金或錫凸點。

本實用新型同現有技術相比，設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本實用新型的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

圖2為本實用新型的俯視圖。

圖3為本實用新型的使用示意圖。

參見圖1-圖3，1為P電極；2為P極電流擴散層；3為P氮化鎵P-Gan；4為N電極；5為N極電流擴散層；6為N氮化鎵N-Gan；7為藍寶石襯底； 9為芯片；10為錫球；11為印刷電路；12為基板；13為熒光膠。

具體實施方式

現結合附圖對本實用新型做進一步描述。

參見圖1-圖2，本實用新型是一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片。芯片9包括P電極1、P極電流擴散層2、P氮化鎵P-Gan3、N電極4、N極電流擴散層5、N氮化鎵N-Gan6和藍寶石襯底7，藍寶石襯底7的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan6，N氮化鎵N-Gan6的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan3，P氮化鎵P-Gan3的上表面貼附有P極電流擴散層2，P極電流擴散層2的上表面貼附有P電極1，N氮化鎵N-Gan6的上表面另一端貼附有N極電流擴散層5，N極電流擴散層5的上表面貼附有N電極4。

本實用新型中，P電極1為金錫合金或錫凸點，N電極4為金錫合金或錫凸點。

參見圖3，芯片9的P電極1和N電極4表面設有錫球10，基板12的表面設有印刷電路11，芯片9倒置并與基板12表面的印刷電路11固定，芯片9與印刷電路11之間采用助焊劑焊接錫球10固定，兩個錫球10分別固定在相鄰的兩段印刷電路11上，基板12和芯片9的表面、基板12的底面分別涂覆有熒光膠13。

基板12為非透明基板，厚度小于0.5毫米，非透明基板具備透光性。

由于采用的是非透明基板，非透明基板表面和非透明基板底面的光的亮度是不一樣的，為了使兩邊的亮度相同，非透明基板表面熒光膠13的厚度大于底部的厚度。由于非透明基板底部的熒光膠13比常規的LED芯片封裝體的熒光膠薄，可以在非透明基板底部的熒光膠13表面進行印刷。

本實用新型由P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光，使芯片9的發光效率得到提高。

本實用新型設計了雙面發光的LED芯片封裝結構，將本實用新型的芯片倒置，并與基板表面的印刷電路通過錫球連接，一方面，由于取消了原有的DBR反射層，在P氮化鎵P-Gan和N氮化鎵N-Gan雙面發光時，提高了芯片的發光效率；另一方面，由于采用的依然是正裝芯片，相比倒裝芯片，LED燈絲的制造成本得以降低。