[實用新型]一種雙面發光的LED芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201420416186.4
• 申請日: 2014-07-25
• 公開（公告）號: CN204011483U
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 胡溢文
• 申請（專利權）人: 胡溢文
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48
• 代理公司: 北京連城創新知識產權代理有限公司 11254
• 代理人: 劉伍堂

1.一種雙面發光的LED芯片封裝結構，包括芯片，其特征在于：芯片（9）包括P電極（1）、P極電流擴散層（2）、P氮化鎵P-Gan（3）、N電極（4）、N極電流擴散層（5）、N氮化鎵N-Gan（6）和藍寶石襯底（7），藍寶石襯底（7）的上表面貼附有N氮化鎵N-Gan（6），N氮化鎵N-Gan（6）的上表面一端和中部貼附有P氮化鎵P-Gan（3），P氮化鎵P-Gan（3）的上表面貼附有P極電流擴散層（2），P極電流擴散層（2）的上表面貼附有P電極（1），N氮化鎵N-Gan（6）的上表面另一端貼附有N極電流擴散層（5），N極電流擴散層（5）的上表面貼附有N電極（4）。

2.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的芯片（9）的P電極（1）和N電極（4）表面設有錫球（10），芯片（9）倒置并與基板（12）表面的印刷電路（11）固定，芯片（9）與印刷電路（11）之間采用助焊劑焊接錫球（10）固定，基板（12）和芯片（9）的表面、基板（12）的底面分別涂覆有熒光膠（13）。

3.根據權利要求2所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的基板（12）為非透明基板。

4.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的P電極（1）為金錫合金或錫凸點。

5.根據權利要求1所述的一種雙面發光的LED芯片封裝結構，其特征在于：所述的N電極（4）為金錫合金或錫凸點。