[實用新型]一種高光密度高功率LED裝置

有效

• 申請號: 201420402694.7
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN203967123U
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 張偉;肖亮
• 申請（專利權）人: 廣州市添鑫光電有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 廣州市越秀區海心聯合專利代理事務所(普通合伙) 44295
• 代理人: 黃為

技術領域

本實用新型涉及一種大功率LED技術領域，尤其涉及一種高光密度高功率LED裝置。

背景技術

現有高光密度高功率LED產品(10瓦以上產品每平方毫米功率可以超過5瓦)采用銅板上通過導電銀漿固定垂直熱電一體LED發光芯片，用以實現LED芯片電氣連接，以及提供散熱通道。此種技術制作的LED光源熱電不分離，光源安裝后還需要進行二次絕緣處理，使得燈具制作難度提升；所有LED發光芯片只能夠以并聯的方式連接，電壓只有LED芯片電壓，也就是4V左右，電流則需要達到20安培或者更高，電源制作成本上升，產品安全性降低。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種高光密度高功率LED裝置，既能高效散熱，又能實現LED發光芯片的熱電分離，從而能夠在LED發光芯片之間實現串、并連接，使得同等功率降低使用電流四分之三以上，從而降低了電源制作成本，提高了產品的安全性能，且不需要進行二次絕緣處理，降低了燈具制作難度。

為實現上述目的，本實用新型提供一種高光密度高功率LED裝置，包括散熱基板和LED發光芯片，所述散熱基板上表面的中心區域設有絕緣導熱基板，所述絕緣導熱基板的上表面設有所述LED發光芯片，所述絕緣導熱基板的上表面還設有與所述LED發光芯片電連接的金屬觸片，所述散熱基板上表面在中心區域的周圍設有絕緣基板，所述絕緣基板與所述絕緣導熱基板之間具有間隙，所述絕緣基板上表面設有金屬線路層，所述金屬線路層上表面設有油漆層，所述油漆層上設有與所述金屬線路層電連接的電路引出位，所述絕緣導熱基板上表面的金屬觸片通過電路連接線與所述電路引出位電連接。

通過在散熱基板上設置絕緣導熱基板，在絕緣導熱基板上設置LED發光芯片，從而LED發光芯片的熱量可以通過絕緣導熱基板傳導至散熱基板進行高效散熱，通過在散熱基板上設置絕緣基板，在絕緣基板上設置金屬線路層，在金屬線路層上設置油漆層，在油漆層上設置電路引出位與金屬線路層電連接，而電路引出位又通過電路連接線與絕緣導熱基板上的金屬觸片電連接，絕緣導熱基板上的金屬觸片又與LED發光芯片電連接，從而LED發光芯片可以通過電路連接線、電路引出位與金屬線路層實現電的導通，而熱絕緣導熱基板和絕緣基板之間又有間隙，從而該高光密度高功率LED裝置在保證高效散熱的同時又實現了LED發光芯片電的導通，而且LED發光芯片的熱和電彼此分離，從而能夠在LED發光芯片之間實現串、并連接，使得同等功率降低使用電流四分之三以上，提升了電源轉換效率，從而降低了電源制作成本，降低了產品使用成本，節約了能源的使用，提高了產品的安全性能，且不需要進行二次絕緣處理，簡化了產品后期的制作工藝，降低了燈具制作難度。

作為本實用新型的進一步改進，所述LED發光芯片通過第一共晶層共晶焊接連接在所述絕緣導熱基板上表面，所述絕緣導熱基板通過第二共晶層共晶焊接連接在所述散熱基板上表面。采用共晶焊接的方式使得LED發光芯片與絕緣導熱基板連接，以及使得絕緣導熱基板與散熱基板連接，能夠使得LED發光芯片和絕緣導熱基板更加穩固，從而可以進一步保證高效散熱。

作為本實用新型的更進一步改進，所述電路引出位和金屬觸片均分別有多個，所述電路連接線有多條，所述電路引出位、金屬觸片和電路連接線的數量均相同，所述的多個電路引出位均勻分布在所述LED發光芯片的周圍，所述的多個金屬觸片分布在所述的多個電路引出位的周圍，且各金屬觸片通過一所述電路連接線垂直連接一所述電路引出位。

作為本實用新型的更進一步改進，所述電路引出位有兩個，所述金屬觸片有四個，所述電路連接線有四條，所述的兩個電路引出位、四個金屬觸片和四條電路連接線均位于所述LED發光芯片的同一側，各所述電路引出位通過兩條電路連接線連接至兩個金屬觸片，所述的兩個電路引出位位于同一水平線上，所述的四個金屬觸片位于同一水平線上，所述的兩個電路引出位所在水平線與所述的四個金屬觸片所在水平線平行，各所述電路連接線的長度相同。

通過以下的描述并結合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。

附圖說明

圖1為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例一的示意圖。

圖2為圖1的側視圖。

圖3為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例二的示意圖。

圖4為圖3的側視圖。

圖5為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例三的示意圖。

圖6為圖5的側視圖。

圖7為高光密度高功率LED裝置的示意圖。