[實用新型]電容結構以及堆疊型電容結構有效

申請號：	201420389662.8	申請日：	2014-07-15
公開（公告）號：	CN203950800U	公開（公告）日：	2014-11-19
發明（設計）人：	黃知澍;潘錫明;鄭惟綱	申請（專利權）人：	璨圓光電股份有限公司
主分類號：	H01L23/64	分類號：	H01L23/64;H01L25/00
代理公司：	蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235	代理人：	楊林潔
地址：	中國臺灣桃園縣龍***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	電容結構以及堆疊
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及半導體組件以及堆疊型半導體組件，尤其涉及一種電容結構以及堆疊型電容結構。

背景技術

隨著科技的進步，半導體組件的應用越來越廣，在計算機、通訊（Communication）與消費性電子（Consumer?Electronics）產品領域，都需要大量使用具有不同功能的半導體組件。在上述的半導體組件中，電容是一個基本且重要的組件。在電路上來說，為了使負載的電壓穩定，會在靠近負載的地方配置一個電容用來穩壓。因此，對集成電路上的電路模塊來說，最理想的偏壓方式是在連接工作電壓端及接地端配置電容器。

然而，隨著半導體組件集成度（integration）的增加，組件的尺寸逐漸縮小，可供電容極板使用的芯片面積因而被迫縮減。換言之，隨著芯片尺寸的縮小，已逐漸無法使用較大面積的電容極板，電容器的儲存電容值也因此相對減少。如此一來，此電容值的減少可能造成儲存數據的錯誤。因此，如何在現行的集成電路制程中提出一種具有高集成度且高電容量的電容結構，以提升電容器性能，成為目前集成電路設計中的首要課題。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種電容結構以及堆疊型電容結構，解決了現有技術中電容結構以及堆疊型電容結構集成度不高，電容量較低的技術問題，使其具有較高的集成度以及較高的電容量。

為了解決上述技術問題，本實用新型的一種一種電容結構，包括：

導電基板，所述導電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個第一凹陷；

第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及

第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應的凹陷結構。

作為本實用新型上述電容結構的進一步改進，所述第一凹陷的數量為兩個以上。

作為本實用新型上述電容結構的進一步改進，所述電容結構還包括：

第二介電層，其中所述導電基板還包括與所述第一表面相對的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及

第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應的凹陷結構。

作為本實用新型上述電容結構的進一步改進，所述第一凹陷實質上與所述第二凹陷對齊。

作為本實用新型上述電容結構的進一步改進，所述第一凹陷實質上不與所述第二凹陷對齊。