[實用新型]電容結構以及堆疊型電容結構有效
| 申請號： | 201420389662.8 | 申請日： | 2014-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN203950800U | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 黃知澍;潘錫明;鄭惟綱 | 申請（專利權）人： | 璨圓光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L25/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龍*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容 結構 以及 堆疊 | ||
1.一種電容結構，其特征在于，包括：
導電基板，所述導電基板包括第一表面以及位于所述第一表面上的至少一個第一凹陷；
第一介電層，覆蓋所述第一表面以及所述第一凹陷；以及
第一金屬層，覆蓋所述第一介電層，其中所述第一介電層與所述第一金屬層具有與所述第一凹陷相應的凹陷結構。
2.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述第一凹陷的數量為兩個以上。
3.根據權利要求1所述的電容結構，其特征在于，所述電容結構還包括：
第二介電層，其中所述導電基板還包括與所述第一表面相對的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及
第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應的凹陷結構。
4.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述第一凹陷實質上與所述第二凹陷對齊。
5.根據權利要求3所述的電容結構，其特征在于，所述第一凹陷實質上不與所述第二凹陷對齊。
6.一種堆疊型電容結構，其特征在于，包括至少兩個權利要求1所述的電容結構，其中這些電容結構堆疊設置，而這些電容結構彼此并聯，且任兩個相鄰的電容結構之間存在至少一個孔隙。
7.根據權利要求6所述的堆疊型電容結構，其特征在于，在沿著各所述導電基板的縱向方向上，所述堆疊型電容結構的長度實質上介于0.1公分至1.5公分之間。
8.根據權利要求6所述的堆疊型電容結構，其特征在于，在沿著各所述導電基板的橫向方向上，所述堆疊型電容結構的寬度實質上介于0.1公分至1.5公分之間。
9.根據權利要求6所述的堆疊型電容結構，其特征在于，所述堆疊型電容結構還包括第一連接件以及第二連接件，各所述電容結構的導電基板及第一金屬層分別電性連接至所述第一連接件及所述第二連接件。
10.根據權利要求6所述的堆疊型電容結構，其特征在于，所述堆疊型電容結構還包括第一連接件以及第二連接件，其中任兩個相鄰的電容結構的導電基板分別電性連接至所述第一連接件以及所述第二連接件。
11.根據權利要求6所述的堆疊型電容結構，其特征在于，至少部分所述電容結構各自還包括：
第二介電層，其中所述導電基板還包括與所述第一表面相對的第二表面以及位于所述第二表面上的至少一個第二凹陷，且所述第二介電層覆蓋所述第二表面以及所述第二凹陷；以及?
第二金屬層，覆蓋所述第二介電層，其中所述第二介電層與所述第二金屬層具有與所述第二凹陷相應的凹陷結構。
12.根據權利要求11所述的堆疊型電容結構，其特征在于，具有所述第二凹陷的電容結構的所述第一凹陷實質上與所述第二凹陷對齊。
13.根據權利要求11所述的堆疊型電容結構，其特征在于，具有所述第二凹陷的電容結構的所述第一凹陷實質上不與所述第二凹陷對齊。
14.根據權利要求11所述的堆疊型電容結構，其特征在于，所述堆疊型電容結構還包括第一連接件以及第二連接件，所述導電基板的其中之一電性連接至所述第一連接件，其對應的第一金屬層和/或第二金屬層電性連接至所述第二連接件。
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