[實用新型]耐高壓型整流芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420384361.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN203983292U
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐吉程;毛振東;薛璐
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州硅能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.?一種耐高壓型整流芯片，包括肖特基勢壘單胞（1），所述肖特基勢壘單胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金屬層（3），位于所述硅片（2）正面的上金屬層（4），所述硅片（2）下部與所述下金屬層（3）連接的第一導電類型重摻雜的單晶硅襯底（5），所述硅片（2）上部與上金屬層（4）連接的第一導電類型輕摻雜的單晶硅外延層（6），位于所述單晶硅外延層（6）上部并開口于所述單晶硅外延層（6）上表面的溝槽（7），其特征在于：所述溝槽（7）四壁均具有第一二氧化硅氧化層（8），一第一導電多晶硅體（9）嵌入所述溝槽（7）中間處，2個第二導電多晶硅體（11）分別嵌入所述溝槽（7）邊緣處且位于第一導電多晶硅體（9）兩側(cè)，位于第一導電多晶硅體（9）中下部的第一多晶硅中下部（91）位于溝槽（7）內(nèi)，位于第二導電多晶硅體（11）中下部的第二多晶硅中下部（111）位于溝槽（7）內(nèi)，所述第一多晶硅中下部（91）、第二多晶硅中下部（111）和單晶硅外延層（6）之間設(shè)有第一二氧化硅氧化層（8）；

位于第一導電多晶硅體（9）上部的第一多晶硅上部（92）位于上金屬層（4）內(nèi)，且第一多晶硅上部（92）四周與上金屬層（4）之間設(shè)有第二二氧化硅氧化層（10），位于第二導電多晶硅體（11）上部的第二多晶硅上部（112）位于上金屬層（4）內(nèi)，且第二多晶硅上部（112）四周與上金屬層（4）之間設(shè)有第二二氧化硅氧化層（10）；

位于單晶硅外延層（6）內(nèi)的上部區(qū)域且位于所述溝槽（7）上部外側(cè)四周具有第二導電類型摻雜區(qū)（12），第二導電類型摻雜區(qū)（12）與單晶硅外延層（6）的接觸面為弧形面，所述第二導電類型摻雜區(qū)（12）位于單晶硅外延層（6）的深度小于第二導電多晶硅體（11）位于單晶硅外延層（6）的深度。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高壓型整流芯片，其特征在于：所述第一導電多晶硅體（9）中第一多晶硅上部（92）與第一多晶硅中下部（91）的高度比為1：5~7。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高壓型整流芯片，其特征在于：所述第二導電多晶硅體（11）中第二多晶硅上部（112）與第二多晶硅中下部（111）的高度比為1：2~3。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高壓型整流芯片，其特征在于：所述第一導電多晶硅體（9）與第二導電多晶硅體（11）的高度比為2~3.5：1。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐高壓型整流芯片，其特征在于：所述第二導電類型摻雜區(qū)（12）的深度與第二導電多晶硅體（11）的深度比為2~3：10。