[實用新型]發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201420380317.8
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN204029841U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 楊建國;談健;王遠紅
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

技術領域

本實用新型涉及半導體器件領域，特別地，涉及一種發光二極管芯片。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種當PN結在正偏壓情況下發光的半導體器件，它以諸多的優點成為國內外最受重視的光源技術之一。LED的基礎是外延片，它通常的制作方法是采用金屬有機化合物化學氣相沉積方法(MOCVD)在襯底上生長多層GaN基半導體層和其他的輔助層而形成。

近年，隨著LED行業開始整合，各芯片廠家之間的競爭愈演愈烈，因此提高芯片性能，增加芯片產量成為提高企業核心競爭力的必經之路。目前，在LED芯片制程中，光刻占據著前段制程周期中50％左右的時間。在此背景下，怎樣提高芯片的光刻效率和光刻對位精度成為研究熱點。

光刻技術是用于在芯片表面上印刷具有一定特征構圖的技術。芯片在曝光進行精確對準之前，需要進行預對準處理，以補償機器人對芯片的定位誤差。目前曝光機預對準系統一般是采用機械加光電傳感檢測芯片平邊的位置，從而確定芯片的幾何中心實現預對準。然而，在傳統的LED外延片的生長過程中，通常由于污染、壘晶異常等造成芯片平邊和邊緣出現斷裂或褶皺不平，因此在芯片的預對準過程中，造成對光的吸收、散射、漫反射等，這些異常將影響傳感器對光信號的接收，從而一方面造成芯片的預對準判斷時間延長；另一方面造成機器對芯片的預對準判斷不準確，芯片在載臺(Exposure?Stage)尋找標記點進行精確對位時，曝光機CCD需要花更多的時間尋找視野中的對應標記點，從而降低設備的使用效率，不利于提高黃光光刻效率的提升，影響產能的釋放。

實用新型內容

本實用新型目的在于提供一種發光二極管芯片，以解決發光二極管芯片的預對準時間長、定位不準確的技術問題。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案如下：

一種發光二極管芯片，發光二極管芯片包括襯底以及依次層疊于襯底上的N型半導體層、發光層和P型半導體層，發光二極管芯片整體呈柱體狀；發光二極管芯片在側壁上設有一個平面，平面和發光二極管芯片的頂面的公共邊為平邊，頂面在平邊處設有與平面連通的凹槽；凹槽的內表面平整。

優選地，凹槽的對稱軸與平面的對稱軸重合。

優選地，在頂面上，凹槽沿平邊平行方向上的長度為0.5毫米～15毫米。

優選地，在頂面上，凹槽沿平邊垂直方向上的長度為0.5毫米～5毫米。

優選地，在平面上，凹槽沿平邊垂直方向上的長度為1200納米～6000納米。

優選地，頂面為光滑表面。

本實用新型具有以下有益效果：發光二極管芯片在平邊位置開設凹槽，減少了平邊和平邊邊緣的污染和壘晶異常，在發光二極管芯片曝光預對準時，增強了曝光機預對準系統感應器對光信號的接收，使發光二極管芯片預對準能夠快速、精確完成。提高了曝光機的使用率，提升了光刻效率，釋放產能。

除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本實用新型還有其它的目的、特征和優點。下面將參照圖，對本實用新型作進一步詳細的說明。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1是本實用新型優選實施例的發光二極管芯片的結構示意圖；

圖2是本實用新型優選實施例的發光二極管芯片的剖面結構示意圖；

圖3是本實用新型優選實施例的發光二極管芯片的另一視角結構示意圖。

附圖標記說明：11、襯底；12、N型半導體層；13、發光層；14、P型半導體層；21、頂面；22、平面；23、平邊；31、凹槽。

具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明，但是本實用新型可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。

參照圖1、圖2和圖3，本實用新型的優選實施例提供了一種發光二極管芯片，發光二極管芯片包括襯底11以及依次層疊于襯底11上的N型半導體層12、發光層13和P型半導體層14，發光二極管芯片整體呈柱體狀；發光二極管芯片在側壁上設有一個平面22，平面22和發光二極管芯片的頂面21的公共邊為平邊23，頂面21在平邊23處設有與平面22連通的凹槽31；凹槽31的內表面平整。