[實用新型]發光二極管芯片有效
| 申請號： | 201420380317.8 | 申請日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN204029841U | 公開（公告）日： | 2014-12-17 |
| 發明（設計）人： | 楊建國;談健;王遠紅 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括襯底(11)以及依次層疊于所述襯底(11)上的N型半導體層(12)、發光層(13)和P型半導體層(14)，所述發光二極管芯片整體呈柱體狀；所述發光二極管芯片在側壁上設有一個平面(22)，所述平面(22)和所述發光二極管芯片的頂面(21)的公共邊為平邊(23)，所述頂面(21)在所述平邊(23)處設有與所述平面(22)連通的凹槽(31)；所述凹槽(31)的內表面平整。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述凹槽(31)的對稱軸與所述平面(22)的對稱軸重合。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，在所述頂面(21)上，所述凹槽(31)沿所述平邊(23)平行方向上的長度為0.5毫米～15毫米。
4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于，在所述頂面(21)上，所述凹槽(31)沿所述平邊(23)垂直方向上的長度為0.5毫米～5毫米。
5.根據權利要求4所述的發光二極管芯片，其特征在于，在所述平面(22)上，所述凹槽(31)沿所述平邊(23)垂直方向上的長度為1200納米～6000納米。
6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述頂面(21)為光滑表面。
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