[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420375327.2
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN204118075U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳勝利
• 申請（專利權(quán)）人: 陳勝利
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種半導(dǎo)體處理裝置，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

橫向擴(kuò)散金氧半晶體管(Laterally?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，LDMOS)高壓組件與一般低壓操作的晶體管相比，具有較低的導(dǎo)通電阻、較高的操作頻率、可承受的崩潰電壓較高、并且輸出功率較大。因此已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于車用電子、電源管理電路、高頻通訊模塊、以及顯示器等相關(guān)的集成電路之中。盡管高壓組件具有上述優(yōu)點，但是在ESD(Electrostatic?Discharge)防護(hù)方面卻異常脆弱，進(jìn)而影響電路本身的穩(wěn)定性和安全可靠度。

為維護(hù)穩(wěn)定性及安全可靠度，集成電路內(nèi)一般設(shè)置有ESD防護(hù)組件。當(dāng)靜電電流產(chǎn)生時，ESD防護(hù)組件便會將靜電放電電流經(jīng)由所設(shè)定的路徑導(dǎo)出，從而避免靜電電流燒毀電路。在設(shè)計上，為了避免此類ESD防護(hù)組件產(chǎn)生栓鎖效應(yīng)(Latch-up?effect)，造成ESD防護(hù)組件無法自行關(guān)閉而過熱，通常會設(shè)置高于工作電壓的維持電壓。但是，這樣的設(shè)計方式卻也會使得觸發(fā)電壓隨之升高，造成ESD防護(hù)組件難以觸發(fā)，必須受到較大的靜電電壓才會開啟。

然而，高壓組件的工作電壓為一般組件的數(shù)倍至數(shù)十倍，一旦為了避免上述栓鎖效應(yīng)而配合高工作電壓，則會導(dǎo)致高壓組件中ESD防護(hù)組件的觸發(fā)電壓更高。而過高的觸發(fā)電壓將導(dǎo)致ESD防護(hù)組件的ESD防護(hù)能力降低，進(jìn)而影響電路本身的穩(wěn)定性以及安全可靠度。

實用新型內(nèi)容

因此，基于上述高壓組件影響電路的穩(wěn)定性及安全可靠性的問題，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在避免栓鎖效應(yīng)的同時，有效降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中ESD防護(hù)組件的觸發(fā)電壓，進(jìn)而強化高壓半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的ESD防護(hù)能力，以提升電路本身的穩(wěn)定性以及安全可靠度。

為實現(xiàn)本實用新型的目的提供的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含：

襯底；

第二型濃摻雜源極，設(shè)置于所述襯底的上層；

第一型濃摻雜體極，設(shè)置于所述襯底的上層；

第二型濃摻雜漏極，設(shè)置于所述襯底的上層；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二型濃摻雜漏極與所述第二型濃摻雜源極之間；以及

厚氧化物隔離區(qū)，設(shè)置于所述第二型濃摻雜源極與所述第一型濃摻雜體極之間，所述厚氧化物隔離區(qū)延伸取代所述第一型濃摻雜體極的多個接觸點區(qū)域，以使所述第二型濃摻雜源極與所述第一型濃摻雜體極相隔離。

在其中一個實施例中，還包括第二型井區(qū)，位于所述第二型濃摻雜漏極與所述襯底之間。

在其中一個實施例中，還包括第一型體區(qū)，設(shè)置于所述襯底的上層，并且所述第一型濃摻雜體極以及所述第二型濃摻雜源極包覆于所述第一型體區(qū)中。

在其中一個實施例中，還包括第二型井區(qū)，設(shè)置于所述襯底的上層，并且所述第一型體區(qū)包覆于所述第一型井區(qū)中。

在其中一個實施例中，所述第二型井區(qū)的寬度大于所述第一型體區(qū)的寬度或所述第一型井區(qū)的寬度，以使所述第一型體區(qū)以及所述第二型井區(qū)保持實質(zhì)對稱。

在其中一個實施例中，還包括多個絕緣結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于所述第一型體區(qū)中和所述第一型井區(qū)中，且/或設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第二型井區(qū)之間。

在其中一個實施例中，所述襯底與所述第二型井區(qū)之間，以及所述襯底與所述第一型體區(qū)之間均設(shè)置有埋藏層。

在其中一個實施例中，所述第一型濃摻雜體極的所述接觸點區(qū)域的數(shù)目為預(yù)定顆數(shù)時，所述厚氧化物隔離區(qū)延伸取代所述接觸點區(qū)域的數(shù)目為1顆、2顆、8顆、12顆、30顆、52顆、或162顆。

在其中一個實施例中，所述厚氧化物隔離區(qū)設(shè)置于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的頂面。

在其中一個實施例中，所述絕緣結(jié)構(gòu)及厚氧化物隔離區(qū)通過硅局部區(qū)域氧化法、淺槽隔離法或深槽隔離法形成。

本實用新型提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有益效果：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括厚氧化物隔離區(qū)，厚氧化物隔離區(qū)延伸取代第一型濃摻雜體極的多個接觸點及鄰近區(qū)域，在不影響布局(Layout)面積的情況下，將第二型濃摻雜源極與第一型濃摻雜體極相隔離，從而提升第二型濃摻雜源極至第一型濃摻雜體極之間的導(dǎo)通電阻，進(jìn)而在避免栓鎖效應(yīng)的同時，降低半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)ESD防護(hù)組件的觸發(fā)電壓，以使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有更好的ESD防護(hù)能力。

附圖說明

圖1為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一實施例的剖視圖；

圖2為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一實施例的布局示意圖；

圖3為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二實施例的布局示意圖；

圖4為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第三實施例的布局示意圖。