[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 201420375327.2
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN204118075U
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 陳勝利
• 申請（專利權）人: 陳勝利
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 李芙蓉

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

襯底；

第二型濃摻雜源極，設置于所述襯底的上層；

第一型濃摻雜體極，設置于所述襯底的上層；

第二型濃摻雜漏極，設置于所述襯底的上層；

柵極結構，設置于所述第二型濃摻雜漏極與所述第二型濃摻雜源極之間；以及

厚氧化物隔離區，設置于所述第二型濃摻雜源極與所述第一型濃摻雜體極之間，所述厚氧化物隔離區延伸取代所述第一型濃摻雜體極的多個接觸點區域，以使所述第二型濃摻雜源極與所述第一型濃摻雜體極相隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括第二型井區，位于所述第二型濃摻雜漏極與所述襯底之間。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，還包括第一型體區，設置于所述襯底的上層，并且所述第一型濃摻雜體極以及所述第二型濃摻雜源極包覆于所述第一型體區中。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，還包括第一型井區，設置于所述襯底的上層，并且所述第一型體區包覆于所述第一型井區中。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述第二型井區的寬度大于所述第一型體區的寬度或所述第一型井區的寬度，以使所述第一型體區與所述第二型井區保持實質對稱。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，還包括多個絕緣結構，分別設置于所述第一型體區中和所述第二型井區中，且/或設置于所述柵極結構與所述第二型井區之間。

7.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底與所述第二型井區之間，以及所述襯底與所述第一型體區之間均設置有埋藏層。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一型濃摻雜體極的所述接觸點區域的數目為預定顆數時，所述厚氧化物隔離區延伸取代所述接觸點區域的數目為1顆、2顆、8顆、12顆、30顆、52顆、或162顆。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述厚氧化物隔離區設置于所述半導體結構的頂面。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述厚氧化物隔離區通過硅局部區域氧化法、淺槽隔離法或深槽隔離法形成。