[實用新型]LED 芯片及包含其的發光二極管

有效

• 申請號: 201420366932.3
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN204029866U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 袁章潔;汪延明
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/42
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種LED芯片及包含其的發光二極管。

背景技術

隨著第三代半導體技術的蓬勃發展，半導體照明以節能、環保、亮度高、壽命長等優點，成為社會發展的焦點，也帶動了整個行業上中下游產業的方興未艾。GaN基LED芯片是半導體照明的“動力”，近年來性能得到大幅提升，生產成本也不斷降低，為半導體照明走進千家萬戶做出突出貢獻。

近年來提出了減薄透明導電層，并使用濺射(sputter)機臺，反應等離子沉積(RPD)機臺等設備制作透明導電層，實現提升LED芯片發光效率的目的。目前濺射機臺，RPD蒸鍍機臺等設備制作的透明導電層與金屬電極之間的粘附力偏低，容易出現金屬電極脫落的問題。

目前，還沒有很好方法的解決濺射ITO或RPD蒸鍍ITO與金屬電極粘附力問題，出現金屬電極脫落都是進行返工處理，重新制作ITO層與金屬電極。因此，仍需要對現有技術進行改進，以減少金屬電極的容易脫落的問題。

實用新型內容

本實用新型旨在提供一種LED芯片及包含其的發光二極管，以改善現有技術中LED發光二極管中電極容易脫落的問題。

為了實現上述目的，根據本實用新型的一個方面，提供了一種LED芯片，包括外延層和設置在外延層上的透明導電層，以及設置在透明導電層上的電極，部分電極穿透透明導電層與外延層相連。

進一步地，上述透明導電層中設有多個通孔，電極上設有多個凸出部，其中，一個凸出部對應地插入一個通孔與外延層相連。

進一步地，上述LED芯片包括設置在外延層上的焊盤以及以焊盤為端點向外延伸的多條電極。

進一步地，各條電極下方的透明導電層中均設置通孔。

進一步地，各條電極下方的透明導電層中均設有一個通孔組，且每個通孔組沿其上方的電極的延伸方向依次排布有多個通孔。

進一步地，在每個通孔組中相鄰兩個通孔之間的距離為5～50μm。

進一步地，各通孔沿垂直于電極延伸方向的最大寬度大于其上方的電極的寬度。

進一步地，通孔為圓形、方形、矩形、菱形、橢圓形、三角形、平行四邊形、梯形或六邊形。

進一步地，上述外延層為GaN基外延層，上述透明導電層的材料為氧化銦錫。

根據本實用新型的另一方面，提供了一種發光二極管，由上述任一種LED芯片制作而成。

應用本實用新型的技術方案，通過將部分電極穿透透明導電層與外延層相連，使部分電極與外延層之間的粘附力增強，從而減少了金屬電極從透明導電層上脫落的幾率；而且利于部分電極與外延層之間形成肖特基接觸，即起到電流阻擋層的作用，便于電流擴散到透明導電層區域，從而提高LED芯片的亮度。本實用新型這種結構的LED芯片制作工藝簡單，成本低廉，技術成熟，能夠在不增加成本的同時提高亮度，并提高產品的可靠性，適合批量生產。

附圖說明

構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1是本實用新型一種典型實施例的剖面示意圖；以及

圖2是本實用新型一種優選實施例的俯視圖。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本實用新型。

為了改善背景技術部分所提到的現有技術中金屬電極容易脫落的問題，本實用新型提供了一種LED芯片，如圖1所示，包括外延層1和設置在外延層1上的透明導電層2，以及設置在透明導電層2上的電極3，部分電極3穿過透明導電層2與外延層1相連。

本實用新型的上述LED芯片，通過將部分電極3穿透透明導電層2與外延層1相連，使部分電極3與外延層1之間的粘附力增強，從而減少了金屬電極3從透明導電層2上脫落的幾率；而且利于部分電極3與外延層1之間形成肖特基接觸，即起到電流阻擋層的作用，便于電流擴散到透明導電層2區域，從而提高LED芯片的亮度。本實用新型這種結構的LED芯片制作工藝簡單，成本低廉，技術成熟，能夠在不增加成本同時提高亮度，進而提高產品的可靠性，適合批量生產。