[實用新型]一種濺射鍍膜的靶材結構

有效

• 申請號: 201420351399.3
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN203976900U
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 閆都倫;王克斌;吳細標;王旻杰;唐貴民
• 申請（專利權）人: 深圳新南亞技術開發有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本實用新型涉及一種濺射鍍膜的靶材結構。

背景技術

所謂鍍膜，就是在固體表面上鍍上一層與基體材料不同的薄層材料，從而改變表面的基體性質的技術。ITO導電玻璃鍍膜技術，即通過磁控濺射的方法將氧化銦錫(簡稱ITO)靶材，濺射沉積到玻璃表面，從而形成一層透明導電的氧化物薄膜。所謂“濺射”就是用荷能粒子(通常是氣體的正離子)轟擊物體，從而引起物理表面原子從母體中逸出的現象。1842年，Groue在實驗室發現的這種現象；1877年，美國貝爾實驗室及西屋電氣公司開始應用濺射原理制備薄膜.1970年磁控濺射技術及其裝置開始出現.利用磁場的來束縛電子的運動，使轟擊基片的高能電子減少，而轟擊靶的高能粒子增多，從而具備高速，低溫兩大特點，從而得到了大面積的工業應用。

大型連續性真空鍍膜設備，主要是在真空的環境下連續不斷的將靶材濺射沉積到玻璃基板上。靶材從更換到用完，其壽命直接影響了鍍膜產品的成本。尤其是ITO導電玻璃鍍膜行業，因氧化銦錫的價格極其昂貴，濺射用靶材的成本占產品成本的三分之一以上，故提高濺射靶材的利用率一直是鍍膜行業技術人員追求的方向。

現有的靶材結構如圖1所示，通過靶材下面的N-S-N三排磁鐵所發散出的磁力線束縛靶材表面的電子運動軌跡，電子在輝光放電時不斷促使氬氣電離出氬正離子，而ITO靶材上通了較高的負電壓，氬正離子就不斷的向靶材方向高速移動，從而不斷將靶材原子轟擊出來，沉積到基材表面形成ITO導電薄膜。靶材在刻蝕完成后，所形成的溝槽形狀如圖2所示，其正好與磁力線的分布對稱，因為中間區域平行于靶面方向的磁力線最多，其所束縛的電子就越多，導致濺射量就越大。

現有技術的缺點主要是磁力線垂直于磁鐵表面出來，從N極到S極的弧度較大，相應的平行于靶材表面的磁力線分量較少，其控制的靶面電子就相對較少，從而使對稱刻蝕出的靶材成字母“V”型，靶材的利用率就相對較低。

實用新型內容

本實用新型目的在于，克服現有靶材結構利用率低的問題，通過更改磁力線的方向，增加平行于靶面的磁力線，使其能夠束縛更多的電子，從而使刻蝕出的靶材成“U”型，以進一步提高靶材的利用率。

本實用新型采用的技術方案如下：

一種濺射鍍膜的靶材結構，包括一平板靶材，靶材底面設有若干排柱狀磁鐵，相鄰排的磁鐵極性互異，兩側的磁鐵頂部表面設有朝向中間的斜面，中間的磁鐵頂部兩側分別設有朝向兩側的斜面。

其中，所述磁鐵共有三排。

其中，每排磁鐵的頂部截面形狀為三角形。

其中，兩側磁鐵的頂部截面形狀為直角三角形，中間磁鐵的頂部截面形狀為等腰三角形。

其中，所述直角三角形斜邊與底面成30°角，所述等腰三角形為直角等腰三角形。

本實用新型的有益效果在于，通過調整磁鐵表面的傾斜度，將其做成極靴，有效增多了平行于靶面的磁力線數量，從而提高了靶材利用率，而且一次投資少，不需要更改其他硬件設備及調整生產工藝。通過試驗，可提高5％以上的利用率，如用ITO靶材約5000元/公斤，每個月消耗約二百公斤的靶材，利用率提高5％。

附圖說明

圖1為現有技術靶材結構示意圖；

圖2為現有技術靶材刻蝕示意圖；

圖3本實用新型靶材結構示意圖。

具體實施方式

為了更清楚地表述本實用新型，下面結合附圖對本實用新型作進一步地描述。

如圖3所示，一種濺射鍍膜的靶材結構，包括一平板靶材1，靶材底面設有若干排柱狀磁鐵，優選為三排。其中，中間一排磁鐵2的極性為S極，兩側磁鐵3的極性為N極。每排磁鐵頂部的形狀均進行了改進，將兩側磁鐵的上表面做成了30°傾斜，構成一個斜面朝向中間的直角三角形；中間的磁鐵兩側做成45°傾斜，構成一個等腰直角三角形。這樣的結構，使得從N極到隔壁S極的磁力線弧度變小，增加了平行靶面方向的磁力線，可以束縛更多電子，提高濺射量，從而增加靶材利用率。

當然，磁鐵頂部的形狀也可不限于是三角形，也可以是梯形或其他形狀，只要相鄰磁鐵之間具有相對于的斜面即可。

以上公開的僅為本實用新型的具體實施例，但是本實用新型并非局限于此，任何本領域的技術人員能思之的變化都應落入本實用新型的保護范圍。