[實用新型]厚膜高功率低阻值貼片電阻器

有效

• 申請號: 201420334779.6
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN203941772U
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 彭榮根;郝濤;徐玉花;杜杰霞;董錦
• 申請（專利權）人: 昆山厚聲電子工業有限公司
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/084;H01C1/14;H01C17/065
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德;段新穎

1.一種厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：包括一方形絕緣基板(10)，沿所述絕緣基板的長度方向，所述絕緣基板下表面(31)的兩端處分別覆蓋有一層背面電極(32)，兩個所述背面電極之間相距設定距離，形成第一間隙；所述絕緣基板上表面(21)的兩端處和中心處分別覆蓋有一層第一正面電極(22)，兩端處的兩個所述第一正面電極分別與中心處的所述第一正面電極相距設定距離，形成兩個第二間隙；三個所述第一正面電極上表面分別覆蓋有一層第二正面電極(23)，兩個所述第二間隙內的絕緣基板上分別覆蓋有一層電阻層(24)，兩個所述電阻層相向延伸覆蓋住中心處的所述第二正面電極，兩個所述電阻層背向延伸覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；所述電阻層上表面依次覆蓋有一層第一保護層(26)和一層第二保護層(28)；所述第一保護層完全覆蓋住所述電阻層，所述第二保護層完全覆蓋住所述第一保護層，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第二正面電極的一部分；

另設有側面電極(33)、鍍鎳層(40)和鍍錫層(50)，所述側面電極完全覆蓋住所述絕緣基板兩端的端面、兩端處的所述第一正面電極的端面、兩端處的所述第二正面電極的端面和兩端處的所述背面電極的端面；所述鍍鎳層完全覆蓋住所述第二正面電極、所述側面電極和所述背面電極，且所述鍍鎳層搭接在所述第二保護層的端面上；所述鍍錫層覆蓋住所述鍍鎳層，且所述鍍錫層搭接在所述第二保護層的端面上。

2.根據權利要求1所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第一正面電極的長度小于中心處的所述第一正面電極的長度。

3.根據權利要求2所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：所述第二正面電極與其對應的所述第一正面電極完全重疊。

4.根據權利要求3所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：沿所述絕緣基板的厚度方向，兩個所述第二間隙分別向下對穿影射到所述絕緣基板下表面對應的所述背面電極上。

5.根據權利要求4所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：兩端處的兩個所述第二正面電極與所述鍍鎳層之間、中心處的所述電阻層與中心處的所述第一保護層之間分別設有一層第三正面電極(25)，兩端處的兩個所述第三正面電極與中心處的所述第三正面電極之間相距設定距離，形成兩個第三間隙，且所述第二保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述第二保護層外覆蓋有一層第三保護層(29)，所述第三保護層完全覆蓋住所述第二保護層，且所述第三保護層延伸并覆蓋住兩端處的所述第三正面電極的一部分；所述鍍鎳層和所述鍍錫層分別搭接在所述第三保護層的端面上。

6.根據權利要求5所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：沿所述絕緣基板的長度方向，兩端處的兩個所述第三正面電極的長度小于中心處的所述第三正面電極的長度，且兩個所述第二間隙分別向上對稱影射到對應的兩個所述第三間隙上。

7.根據權利要求6所述的厚膜高功率低阻值貼片電阻器，其特征在于：兩端處的兩個所述電阻層為通過激光鐳射調整至設定阻值的電阻層，所述第三保護層外部分覆蓋有一層字碼標識層(30)。