[實用新型]負壓控制裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420331881.0 | 申請日: | 2014-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN204029768U | 公開(公告)日: | 2014-12-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 許鴻銘;姜智元;張木慶 | 申請(專利權)人: | 蘇州均華精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡;徐丹 |
| 地址: | 215101 江蘇省蘇州市吳中區(qū)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種負壓控制裝置,尤指一種能利用單一真空源,以多個負壓給多個裝置的控制裝置。?
背景技術
負壓裝置,其系廣泛地應用于晶圓封裝的制程中。常見的負壓裝置的使用方式,其系提供一負壓給一上模具,而使該上模具吸附一膜體。再提供另一負壓給一下模具,而使該下模具吸附一晶圓。等待封裝制程完成后,負壓裝置又提通一負壓給一取放裝置,以將完成封裝的晶圓取出下模具。?
或者該負壓裝置系提供一負壓給一下模具,該下模吸附有復數個晶粒,該些晶粒系貼附于一膜體。該負壓裝置再提供一負壓給一上模具,該上模具系對該膜體進行吸附,而使該膜體與該些晶粒相互分離。該負壓裝置又提通一負壓給一取放裝置,以將該些晶圓取出下模具。?
如上所述,負壓裝置系能夠應用于晶圓封裝的制程中,但上述之負壓提供系使用至少兩部負壓裝置,如真空抽取機,或者三部以上。使用多部負壓裝置的目的在于因上述之上模具、下模具或取放裝置所使用的真空負壓值皆不相同,所以才使用多部負壓裝置以提供多種真空負壓值之負壓給多個裝置。使用多部負壓裝置的結果系造成設備需要較大的設置空間,以及較高成本。?
發(fā)明內容
本實用新型目的在于提供一種負壓控制裝置,其系藉由單一真空源,以提供多個負壓給多個裝置,如此能夠節(jié)省設備空間,并降低成本。?
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種負壓控制裝置,其具有:?
一真空單元;
至少二第一閥,各第一閥系耦接該真空單元;
至少二第一工作區(qū),各第一工作區(qū)系耦接各第一閥;
一第二閥,其系耦接所述真空單元;
一壓力控制器,其系耦接所述第二閥;以及
一第二工作區(qū),其系耦接所述壓力控制器。
上述方案中,還具有一控制單元,該控制單元系分別耦接所述真空單元、所述第一閥、所述第二閥與所述壓力控制器。?
上述方案中,所述第一工作區(qū)或第二工作區(qū)為一模具、一上模、一下模、一載盤、一模腔或一吸取裝置。?
上述方案中,所述第一閥與第二閥為一真空電磁閥。?
上述方案中,還具有至少一壓力表,各壓力表系分別耦接各第一閥與各第一工作區(qū)。?
上述方案中,還具有一壓力表,該壓力表系分別耦接所述壓力控制器與所述第二工作區(qū)。?
附圖說明
圖1為本實用新型負壓控制裝置的示意圖;?
圖2為本實用新型負壓控制裝置的動作時序圖。
以上附圖中:10、真空單元;11、第一閥;12、壓力表;13、第一工作區(qū);14、第二閥;15、壓力控制器;16、第二工作區(qū);17、控制單元;18、壓力表。?
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:?
實施例一:?參見圖1-圖2所示:
請配合參考圖1所示,一種負壓控制裝置,其具有一真空單元10、至少二第一閥11、至少一壓力表12、18、至少二第一工作區(qū)13、一第二閥14、一壓力控制器15、一第二工作區(qū)16與一控制單元17。
真空單元10系為一真空泵浦。?
第一閥11系耦接真空單元10。第一閥11為一真空電磁閥。?
各壓力表12系耦接各第一閥11。?
各第一工作區(qū)13系耦接各壓力表12。第一工作區(qū)13為一模具、一上模、一下模、一載盤、一模腔或一吸取裝置。?
第二閥14系耦接真空單元10。第二閥14為一真空電磁閥。?
壓力控制器15系耦接第二閥14。?
第二工作區(qū)16系耦接壓力控制器15。第二工作區(qū)15為一模具、一上模、一下模、一載盤、一模腔或一吸取裝置。?
控制單元17系分別耦接真空單元10、第一閥11、第二閥14與壓力控制器15。?
壓力表18系分別耦接壓力控制器15與第二工作區(qū)16。?
請配合參考圖2所示,其系為一時序控制示意圖。直線A為一開始點。直線B為一終點。時序線C至I系表示工作動作時間。?
請再配合參考圖1所示,若第一工作區(qū)13為一上模,時序線D系表示上模的內圈具有一第一真空值,該第一真空值的開始點系為時序線D鄰近直線A的高起位置處,該第一真空值的終止點系為時序線D鄰近直線B的高起位置處。同理,時序線C至I亦可為相同的論述。該第一工作區(qū)13系為圖1之右上角的第一個。?
時序線C系表示一膜或一載盤的定位預備的起終時間。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





