[實用新型]紅外線大功率LED

有效

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• 申請日: 2014-06-19
• 公開（公告）號: CN204029849U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉勇
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市邁科光電有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44320
• 代理人: 彭年才

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紅外線大功率LED。

背景技術(shù)

在繁多的LED產(chǎn)品中，紅外線大功率LED因其穩(wěn)定、節(jié)能被廣泛應(yīng)用于安防監(jiān)控夜間照明。紅外線大功率LED的可靠性和衰減性直接影響了安防效果，造成了其壽命短，安防效果不能持續(xù)穩(wěn)定。在使用時，受產(chǎn)品散熱影響，照射距離、強度變低；因為產(chǎn)品晶片結(jié)溫過高時，紅外線晶片會衰減增大，可靠性變低；封裝材料受高溫影響，老化加快，因此，解決紅外線大功率LED的可靠性、衰減性的方法就是解決其散熱。

圖1所示的現(xiàn)有紅外線大功率LED采用仿流明朗柏型封裝，由保護(hù)硅膠1封裝于框架3上的晶片4通過金線2與外接腳相連，晶片4與框架3之間還設(shè)有底膠5，框架3又設(shè)置于支架底板6上。這種結(jié)構(gòu)的紅外線大功率LED的散熱回路主要分成兩路：1、晶片4發(fā)熱通過底膠5和支架底板6傳遞到散熱基板散熱；2、晶片4發(fā)熱通過保護(hù)硅膠1和框架3散熱進(jìn)行空氣散熱。第1路散熱回路的缺陷是：熱阻高，支架底板6的厚度為2.4mm，根據(jù)銅的散熱特性，大厚度并不會增加熱量的傳導(dǎo)速度，反而增加了熱阻；晶片4工作時，熱量通過底膠5導(dǎo)入支架底板6，通過支架底板6導(dǎo)入焊錫，再散入散熱基板，當(dāng)晶片4結(jié)溫120℃時，散熱基板才80℃，說明其熱量未能及時導(dǎo)入散熱基板，造成晶片4結(jié)溫慢慢變高，引起產(chǎn)品衰減過大。而第2路散熱回路的缺點是：晶片4工作時，產(chǎn)生的熱量通過第一種方式導(dǎo)出一部分，另外一部分通過2.9mm保護(hù)硅膠1和框架3散熱，保護(hù)硅膠1會造成熱量不能及時散發(fā)至空氣中；通過框架3時，長時間高溫會造成PPA材料老化、黃化，導(dǎo)致其反光效果變差，晶片4發(fā)光效率變低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種紅外線大功率LED，以改善產(chǎn)品的光衰減性，提升產(chǎn)品可靠性。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種紅外線大功率LED，包括支架底板、通過底膠組裝于支架底板上的晶片、封裝于晶片上表面的保護(hù)硅膠以及設(shè)置于支架底板上的框架，所述晶片以SMD封裝工藝貼裝于支架底板上，所述支架底板為厚度為0.25±0.02mm的超薄銅板；保護(hù)硅膠位于框架限定的區(qū)域范圍內(nèi)并覆蓋住晶片，所述保護(hù)硅膠的厚度范圍為0.5mm~1mm；所述框架由高耐溫材料制成，其厚度為0.5mm~1.5mm。

進(jìn)一步地，所述框架為聚對苯二甲酸1,4-環(huán)己烷二甲醇酯制作而成。

進(jìn)一步地，所述框架為高分子環(huán)氧樹脂通過蝕刻技術(shù)成型于銅基材上制作而成。

進(jìn)一步地，所述保護(hù)硅膠的厚度為0.75mm。

進(jìn)一步地，所述框架的厚度為1mm。

采用上述技術(shù)方案后，本實用新型至少具有如下有益效果：本實用新型采用了表面貼裝器件的封裝方式組裝晶片，實現(xiàn)了自動化、標(biāo)準(zhǔn)化作業(yè)，可使產(chǎn)品衰減性、可靠性變優(yōu)良；配合高耐溫、超薄型框架的設(shè)計，晶片產(chǎn)生的熱量能通過底部、正上方快速傳導(dǎo)至散熱基板和空氣中，可大大降低了晶片本身的溫度，可很好地解決因為高溫導(dǎo)致的光衰和出光效率問題；此外，由于厚度、尺寸變小，還可減少一半的金線用量，框架生產(chǎn)效率更高，后期封裝加工成本低，使紅外線大功率LED整體成本變得更低，效率更高。

附圖說明

圖1為背景技術(shù)所述現(xiàn)有一種紅外線大功率LED的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型所述一種紅外線大功率LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1—保護(hù)硅膠、2—金線、3—框架、4—晶片、5—底膠、6—支架底板。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互結(jié)合，下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖2所示，本實用新型提供一種紅外線大功率LED，包括支架底板6、通過底膠5組裝于支架底板6上的晶片4、封裝于晶片4上表面的保護(hù)硅膠1以及設(shè)置于支架底板6上的框架3。

所述晶片4以SMD封裝工藝貼裝于支架底板6上，所述支架底板為厚度為0.25±0.02mm的超薄銅板；保護(hù)硅膠1位于框架3限定的區(qū)域范圍內(nèi)并覆蓋住晶片4，所述保護(hù)硅膠1的厚度范圍為0.5mm~1mm，優(yōu)選厚度為0.75mm；所述框架3由高耐溫材料制成，其厚度為0.5mm~1.5mm，優(yōu)選厚度為1mm。

在本實用新型的一個實施例中，所述框架3為聚對苯二甲酸1,4-環(huán)己烷二甲醇酯制作而成。而在本實用新型的另一個實施例中，所述框架為高分子環(huán)氧樹脂通過蝕刻技術(shù)成型于銅基材上制作而成。