[實(shí)用新型]石墨載板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420319818.5
• 申請(qǐng)日: 2014-06-16
• 公開（公告）號(hào): CN203910834U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳璐;王舉亮;倪玉鳳;張婷;錢俊;董鵬;高鵬;宋志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中電投西安太陽(yáng)能電力有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/673
• 代理公司: 上海碩力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31251
• 代理人: 王建國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種石墨載板。

背景技術(shù)

為了提高晶體硅電池正面的陷光性，工業(yè)中常采用表面織構(gòu)化和減反射膜技術(shù)，以減少電池正面對(duì)太陽(yáng)光的反射。其中，減反射膜一般采用等離子增強(qiáng)氣相沉積(PECVD)來(lái)制備。在制備減反射膜的過(guò)程中，需將硅片放置在石墨載板上，再將紙膜載板置于PECVD設(shè)備中，之后進(jìn)行沉積過(guò)程。

然而，太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，需要不斷降低物料成本，提高太陽(yáng)能電池片的功率，降低生產(chǎn)成本，提高發(fā)電量。

為了獲得更高的電池功率，可通過(guò)采用更大面積的硅片來(lái)制備太陽(yáng)能電池片。

然而，若使用更大尺寸的硅片，則現(xiàn)有的石墨載板就不能再適用。

因此，有必要對(duì)石墨載板進(jìn)行改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的是提供一種石墨載板，從而適用于更大尺寸的硅片，進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種石墨載板，用于板式PECVD工序中，包括：

石墨板，所述石墨板上均勻設(shè)置有若干鏤空區(qū)域，相鄰鏤空區(qū)域之間通過(guò)間隔條間隔開；

所述間隔條上設(shè)置有卡槽，用于安裝金屬掛鉤；硅片通過(guò)所述金屬掛鉤放置于所述鏤空區(qū)域內(nèi)；其中：

所述鏤空區(qū)域呈四角具有倒角的正方形，正方形的邊長(zhǎng)為162-166mm，倒角的直徑為212-216mm。

較佳地，所述硅片放入所述鏤空區(qū)域后，所述硅片邊緣距離所述鏤空區(qū)域邊緣的距離為1-3mm。

較佳地，相鄰鏤空區(qū)域之間的間距為7-9mm。

較佳地，每個(gè)間隔條上設(shè)置有兩個(gè)卡槽，所述兩個(gè)卡槽位置居中，且兩個(gè)卡槽之間的間距為80mm。

較佳地，所述硅片的尺寸為：邊長(zhǎng)160mm*160mm，倒角直徑為210mm。

較佳地，所述石墨板上設(shè)置的鏤空區(qū)域的數(shù)量為5行10列或5行9列。

本實(shí)用新型由于采用以上技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和積極效果：

1)本實(shí)用新型提供的石墨載板包括石墨板，所述石墨板上均勻設(shè)置有若干鏤空區(qū)域，相鄰鏤空區(qū)域之間通過(guò)間隔條間隔開；所述間隔條上設(shè)置有卡槽，用于安裝金屬掛鉤；硅片通過(guò)所述金屬掛鉤放置于所述鏤空區(qū)域內(nèi)；其中：所述鏤空區(qū)域呈四角具有倒角的正方形，正方形的邊長(zhǎng)為162-166mm，倒角的直徑為212-216mm。從而可通過(guò)金屬掛鉤將更大尺寸的硅片支撐在鏤空區(qū)域內(nèi)，以適應(yīng)更大尺寸的硅片的要求；同時(shí)由于石墨框鏤空區(qū)域尺寸與硅片尺寸非常接近兩者之間的間隙很小較少了反應(yīng)氣體有硅片正面蔓延的硅片背面的幾率，因此也減少了平板PECVD鍍膜時(shí)硅片邊緣的色差，降低了由于背面反鍍?cè)斐傻漠a(chǎn)品質(zhì)量降低的現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的5*10規(guī)格的石墨載板的示意圖；

圖2為鏤空區(qū)域的局部放大圖；

圖3為間隔條的局部放大圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的5*9規(guī)格的石墨載板的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參照?qǐng)D1以及圖3至圖4，本實(shí)用新型提供的石墨載板，用于板式PECVD工序中，包括石墨板1，石墨板1上均勻設(shè)置有若干鏤空區(qū)域2，在本實(shí)施例中，石墨板1上設(shè)置的鏤空區(qū)域2的數(shù)量為5行10列，如圖1所示；相鄰鏤空區(qū)域2之間通過(guò)間隔條3間隔開；間隔條3上設(shè)置有卡槽4，用于安裝金屬掛鉤；硅片通過(guò)金屬掛鉤放置于鏤空區(qū)域2內(nèi)；其中，鏤空區(qū)2呈四角具有倒角的正方形，正方形的邊長(zhǎng)為162-166mm，倒角的直徑為212-216mm。其中，鏤空區(qū)域的局部放大圖如圖2所示。

本實(shí)用新型提供的石墨載板可以承載邊長(zhǎng)為160mm*160mm、倒角直徑為210mm的硅片進(jìn)行鍍膜。使用該尺寸的硅片后，單個(gè)太陽(yáng)能電池的功率會(huì)大大提高。

優(yōu)選地，硅片放入鏤空區(qū)域2后，硅片邊緣距離鏤空區(qū)域2邊緣的距離為1-3mm。由于石墨框鏤空區(qū)域尺寸與硅片尺寸非常接近兩者之間的間隙很小較少了反應(yīng)氣體有硅片正面蔓延的硅片背面的幾率，因此可減少平板PECVD鍍膜時(shí)硅片邊緣的色差，降低由于背面反鍍?cè)斐傻漠a(chǎn)品質(zhì)量降低的現(xiàn)象。

在本實(shí)施例中，相鄰鏤空區(qū)域2之間的間距d為7-9mm，優(yōu)選為8mm；如圖2所示。